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在SPIE大会上，ASML新任首席执行官Christophe Fouquet发表了演讲，重点推介了High NA EUV光刻机，该设备单台售价约为3.2至4.3亿美元，折合人民币接近30亿元。期间，Christophe Fouquet透露，英特尔的第二台High NA EUV光刻机已经顺利完成组装。相比之下，台积电的首台High NA EUV光刻机预计最快也要到年底才能完成交货，这表明英特尔在最先进光刻机的应用上已经取得了遥遥领先的优势。
Christophe Fouquet指出，与当前的标准EUV光刻机相比，High NA EUV光刻机不太可能出现交货延迟的情况。原因在于ASML创新了扫描仪子组件的组装方式，即直接在客户工厂进行安装，省去了拆卸和再组装的步骤。这一变革将显著缩短ASML与客户之间的时间和成本，有助于加速High NA EUV光刻机的发货与交付。
随后，英特尔院士兼光刻技术总监Mark Phillips上台发言。他表示，英特尔已在波特兰工厂成功安装了两套High NA EUV光刻系统。Mark Phillips还公布了一些数据，显示High NA EUV光刻机所带来的性能提升可能超出了此前的预期。
Mark Phillips强调，由于积累了首次安装的经验，第二套High NA EUV光刻系统的安装速度更快。目前，High NA EUV光刻设备所需的所有基础设施已就绪并投入运行，相关的光罩检测工作也正按计划进行。因此，英特尔无需过多辅助支持即可将其投入生产。
此外，Mark Phillips还就化学放大抗蚀剂（CAR）与金属氧化物抗蚀剂的问题发表了看法。他表示，目前CAR仍能满足需求，但未来某个时刻可能需要采用金属氧化物光阻剂。英特尔的目标是，在2026至2027年间实现Intel 14A制程技术的量产，并在此基础上进一步提升制程技术。
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