半导体产品中有一类叫做功率器件的，IGBT是功率半导体中的核心器件，兼具MOSFET及BJT两类器件优势，驱动功率小而饱和压降低。
功率器件通过调节改变电子元器件的功率来实现电源开关和电能转换的功能，主要体现在变频、整流、变压、开关等方面。其应用范围广泛，包括工控、风电、光伏、电动汽车与充电桩、轨交、消费电子等领域。一般低压IGBT常用于变频白色家电、新能源汽车零部件等领域；中压IGBT常用于工业控制、新能源汽车等领域；高压IGBT常用于轨道交通、电网等领域。
长期以来，全球IGBT市场高度集中在海外厂商手中，英飞凌、富士电机、三菱三家企业占据超过50%以上的市场份额。
在中国高铁高速扩张的时代，2006年，为了满足中国电力机车的发展需要，中车株洲所以高于国际市场3倍的价格，买到了一批IGBT芯片。
可是在芯片被封装好送上试验台做基础测试时，芯片竟然炸了。当时，国外售后人员一口咬定，是工作人员操作不当引起的。
其后，经过国内专家反复论证，得出令人心痛的结论：“高价买的这批芯片是别人生产中的残次品。”
此后，中车株洲所痛下决心自研IGBT，经过十年攻关，中车株洲所自主研发了国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片生产线。
2018年，国内首条第三代功率半导体器件6英寸SiC芯片生产线首批芯片试制成功，成为当时国际SiC芯片生产线的最高标准生产线。
与IGBT相比，SiC能够有效提高系统效率，降低能耗，减小系统装置体积与重量，提高系统可靠性，可使高速列车电力转换损耗降低30%至50%。
这条SiC线正是株车时代电气半导体事业部的研发成果。
根据Omdia数据，2021年全球IGBT单管市场中，中国大陆企业士兰微进入前十大厂商中，占据4%的市场份额；而在全球IGBT模块市场中，中国大陆有斯达半导和中车时代进入前十大厂商，分别占据3%和2%。
据Yole数据，2022年全球IGBT的市场规模约为68亿美元，受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加，中国是全球最大的IGBT市场，约占全球市场规模的40%。
我国IGBT产业起步较晚，国内IDM模式的公司虽然较少，但在政策的鼓励下，我国IGBT产业发展迅速，比亚迪半导、士兰微、中车时代电气等公司已在全球市场中占据一定的市场份额。
据统计，2023年我国IGBT产量达到3624万只，IGBT自给率超过30%。
虽然我国的IGBT芯片无法与国外一流厂商相比较，但这块电子电力行业的“CPU”再不是工业皇冠上的明珠了，更不是卡我们脖子的黑手！
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