众所周知，自从2020年以来，美国就限制EUV光刻机卖给中国。
后来这种限制越来越严格，被禁运的设备也越来越多，按照媒体的说法，美国的目标是锁死我们的逻辑芯片工艺在14nm，DRAM内存在18nm，NAND闪存在128层。
在这样的情况之下，国产厂商们纷纷努力，希望早日实现国产替代，突破美国的封锁。
而这个国产替代，分为两个部分，一方面是先进设备的突破，减少对国外的依赖。
另外一个方面，则是对成熟芯片的设备进行替代，据媒体的说法，有些国内芯片厂，甚至已经到了对设备上的零部件逐一排查的地步。
只要是国产设备能够进行替代的，哪怕是性能差一点，可靠性差一点，也要替代掉，因为使用国外设备，就有可能被卡脖子的风险。
那么问题来了，目前国产替代，到底到了什么程度了？使用全套国产设备，究竟能够生产多少纳米的芯片？
从当前的情况来看，除了光刻机，我们应该已经实现了14nm芯片的全部自主化。
我们可以从晶圆制造，到前道工序，后道工序这三个主要环节来看。
晶圆制造这一块，基本上没什么问题，300mm的晶圆我们能够制造，300mm晶圆，制造3nm、2nm都没问题。
而前道工序最复杂，这里机的设备最多，也最关键，需要使用光刻机、刻蚀机、清洗机、离子注入等等设备。
这里的国产设备技术也是一样，最先进的是国产刻蚀机，达到了3nm，而最落后的则是光刻机了，应该还在65nm，使用多重曝光技术之后，估计最高还不到28nm。
到于其它的设备，有些先进的达到了7nm，但基本上其实都达到了14nm左右。
而后道工序这里指的是封测这一块，中国在封测领域一直处于国际领先水平，设备也大部分实现了国产化，按照专业人士的说法，使用国产设备，来封测7nm及以下的芯片，都没太多问题。
可见，如果全部替换掉国外设备，采用全套国产设备，除了光刻机之外，应该是能够达到14nm的，但使用国产光刻机，可能问题就比较大了，也许28nm都不一定。
所以接下来，国产光刻机的突破势在必行，只要光刻机跟上，我们就没那么在乎禁令了，如果能够有国产EUV光刻机，那禁令就成废纸了。
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