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据报道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士提供 HBM4 芯片样品。这两家半导体公司都在为特斯拉开发第六代高带宽内存芯片原型。

据KEDGlobal报道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士供应通用的 HBM4 芯片。预计在测试两家公司的样品后，特斯拉将选择其中一家作为 HBM4 供应商。

通过使用三星和 SK 海力士生产的定制 HBM4 芯片，特斯拉除了减少对 Nvidia 的 AI 芯片依赖外，还寻求增强其人工智能 (AI) 能力。

三星正努力争取特斯拉的 HMB4 芯片订单。该公司甚至与台湾的台积电合作，以促进其 HBM 芯片的开发并保持对 SK 海力士的优势。

SK Hynix 也在加速发展，以保持其在 HBM 领域的领先地位。赢得特斯拉 HMB 订单的公司将在全球内存供应链中看到大幅推动。

值得注意的是，第 6 代 HBM4 芯片对于特斯拉的 Dojo 超级计算机至关重要，该超级计算机专为训练 AI 模型而设计，还将支持其 AI 数据中心和自动驾驶汽车。

HBM4 半导体与前几代相比有显著的增强，可提供高达 1.65 Tbps 的带宽，比 HBM3E 快 1.4 倍，同时功耗降低了 30%。

Nvidia 要求 SK 海力士将 HBM4 的交付时间提前

据路透社报道，SK 集团董事长崔泰源表示，Nvidia 已要求 SK 海力士将下一代HBM4 内存芯片的交付时间提前六个月。

SK海力士最初计划在2025年下半年向客户交付HBM4芯片。应Nvidia首席执行官黄仁勋的要求，时间表缩短了，但并未指定具体的新时间表。Nvidia目前正在开发用于AI和HPC的下一代GPU，这些GPU将使用HBM4内存（代号可能为Rubin）。因此，该公司必须尽早获得下一代高带宽内存。

受人工智能行业需求增长的推动，SK 海力士继续巩固其在 HBM 市场的领先地位。该公司为 Nvidia 的当前一代产品提供了 8-Hi 和 12-Hi HBM3E。展望未来，SK 海力士计划明年推出 12 层 HBM4，并计划在 2026 年推出 16 层版本，以满足预期的行业需求。

最初，SK 海力士倾向于在其 HBM4 层中使用 1b DRAM 技术，但据报道，三星选择更先进的 1c 生产技术，促使 SK 海力士重新评估其方法。

即将推出的 HBM4 标准将引入 24Gb 和 32Gb 的内存层，以及 4 高、8 高、12 高和 16 高 TSV 堆栈的堆叠选项。初始 HBM4 模块的确切配置仍不确定，三星和 SK 海力士计划在 2025 年下半年开始批量生产 12 高 HBM4 堆栈。这些模块的速度等级会有所不同，具体取决于多种因素，但 JEDEC 的初步标准将速度设定为高达 6.4 GT/s。

为了制造其 HBM4 模块的基础芯片，SK 海力士与台积电合作。在 2024 年欧洲技术研讨会上，台积电透露将使用其 12FFC+（12nm 级）和 N5（5nm 级）工艺技术生产这些基础芯片。N5 工艺将实现更高的逻辑密度和更细的互连间距，从而允许将内存直接集成到 CPU 和 GPU 中。或者，12FFC+ 工艺将通过使用硅中介层将内存与主机处理器连接起来，提供更具成本效益的解决方案，在性能和可负担性之间取得平衡。

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