被业界称为硅光子元年的台积电光引擎COUPE 将整合共同封装光学（CPO）解决方案，今日在技术论坛宣布重大成果，搭载COUPE 技术的全球首个200Gbps 微环调变器（MRM），将于2026 年进入量产，并实现低于1E-08 的位元误差率。
台积电表示，与传统铜线相比，基板上搭载COUPE的CPO可提供4 倍的功耗效率及减少90%的延迟，公司正朝在中介层（interposer）上使用COUPE 技术，效能可进一步提升，实现10倍的功耗效率与延迟减少95%的卓越表现。
台积电强调，搭载COUPE 技术的全球首个200Gbps 微环调变器（MRM）将于2026 年进入量产，采用COUPE 技术的MRM 在优异的制程控制下，实现低于1E-08 的位元误差率外，公司也持续扩展，以让400Gbps的调变器、多波长技术与多列光纤阵列单元，于2030年实现4Tbps/mm 的频宽密度。
除此之外，台积电也宣布非挥发性记忆体技术正朝向MRAM 和RRAM（ 电阻式随机存取记忆体） 发展，而且制程将40/28/22 纳米缩小至16/12纳米。
台积电是在2022年开始以40/28/22nm量产RRAM，这项新型记忆体，具备高速读写低功耗的特性，是因应智能穿载及嵌入式应用而被采用的非挥发性记忆体。台积电今日公布最新的突破是12纳米的RRAM， 已准备好进行客户设计定案。
除此之外，28/22 纳米的RRAM也已通过车规Automotive Grade-1 认证；12 纳米的RRAM Auto预计于2026 年底推出。
至于MRAM（磁阻式随机存取记忆体）是一种具备高速读写、非挥发性（断电不丢失资料）及无限次写入寿命的次世代记忆体技术。它结合了SRAM 的高速与快闪记忆体(Flash) 的非挥发性，适用于嵌入式系统（eMRAM）、边缘运算与汽车电子。
台积电今日也宣布，22 纳米的MRAM 已开始量产，16纳米MRAM 已准备好进行客户设计定案。此外用于提升逻辑密度及效能的12 纳米MRAM 正在开发阶段，预计于2026 年底就绪。
至于备受市场关注的显示技术方面，台积公司宣布推出业界首个FinFET 高压平台，用于可折叠/轻薄OLED与AR 眼镜。
台积电强调技术跃进在于与N28HV 相比，N16HV 预计可将闸极密度提高41%，并为高阶智能型手机减少功耗35%； N16HV 也提供了一项用于近眼显示引擎背板的技术平台，与28nm 相比，可缩小芯片面积（die area）40%并降低功耗20%。
（来源：联合报）
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