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又是历史性一幕。
北京时间7月10日，全球存储龙头SK海力士正式在纳斯达克挂牌交易，盘中涨幅一度超过18%，最终收盘市值高达1.22万亿美元（约合人民币8.3万亿元）。
值得一提的是，SK海力士本次发行募资265亿美元，不仅创下海外企业赴美IPO最大规模纪录，更仅次于上月完成上市的SpaceX，跻身全球历史第二大IPO。
这场轰动全球的上市盛宴，背后是一条贯穿四十余年的逆袭之路。1983年脱胎自现代集团，SK海力士的前身现代电子曾一度走到破产边缘，直到SK集团接手。当它在2013年开发出第一代HBM时，恐怕没人能想到，这家公司会成为全球存储霸主。
一度濒临破产
跻身全球第二大IPO
SK海力士的逆袭之路令人惊讶。
时间还要追溯到1983年，韩国现代集团正式创立现代电子株式会社，开始进军半导体行业，历时两年成功量产256K DRAM（动态随机存取存储器），并在1996年登陆韩国交易所。随后在1999年，现代电子完成对LG半导体的收购，这笔并购让现代电子的规模得以迅速扩张，DRAM市占率一度超越三星，但LG半导体遗留的债务问题成为潜在隐患。
很快，隐患爆发了。进入21世纪，全球存储行业陷入深度下行周期，DRAM价格持续暴跌，而现代电子又背负巨额债务，因此导致资金链断裂，一度濒临破产。无奈之下，现代电子在2001年被迫剥离存储业务，独立为海力士半导体，交由以韩国国有银行为首的债权银行团托管。
此后十年，海力士半导体陷入了漫长的低谷期，多次传出破产清算传闻，也无人敢接手这块“烫手的山芋”。直到2011年，韩国SK集团决定收购海力士半导体，这一举动在当时颇具争议，评级机构标准普尔甚至给予了负面展望。
2012年，海力士半导体正式更名为SK海力士，开启重生之路。
SK海力士将目光聚焦在了HBM（高带宽存储器），该芯片能够高速传输数据，但彼时行业普遍认为HBM市场空间狭小、研发投入回报周期漫长。SK海力士之所以要另辟蹊径，实际源于其早在2009年就判断，硅通孔技术和晶圆级封装技术可以克服存储器性能的局限性，因而开始了深入研发。
正是基于这些技术，2013年SK海力士与AMD联合推出第一代商用HBM产品，成为行业先行者。遗憾的是，由于高性能计算市场尚未成熟以广泛采用HBM，其市场反响并未如预期般爆发。
但SK海力士并未停下脚步，反而决定加码投入。在这一过程中，SK海力士将批量回流模制底部填充技术应用于HBM2E，从而改变了市场格局。此后，其又为HBM3和HBM3E研发出集薄芯片堆叠、散热和生产效率于一身的MR-MUF技术。
转折点出现在2022年，随着ChatGPT横空出世，AI浪潮开始席卷全球，英伟达凭借先进的GPU芯片成为最大赢家。而SK海力士则通过HBM3，跻身英伟达H100芯片的主要供应商，一举扭转颓势。
时至今日，SK海力士以58%的市场份额位居全球HBM市场第一。
此次美股IPO，SK海力士通过美国存托股份（ADR）发行募资265亿美元，超越了2019年沙特阿美256亿美元的赴美IPO融资纪录，直接升至全球历史第二，成为外国企业在美国规模最大的首次公开募股。至此，一个史诗级IPO正式宣告诞生。
