一家位于上海的国有公司已经着手批量生产浸没式深紫外光刻机，据The Information援引两名知情人士的消息称。这批国产设备的第一步将在今年交付给中芯国际、华虹半导体以及DRAM制造商长鑫存储，三家厂商都在同一份美国国会法案中被点名，而该法案一旦落地，将直接切断它们从ASML获得新机、维护和技术支持的通道。
从规划看，生产还在爬坡期：2026年的目标大约是5台，2027年有望提高到20台左右。消息源没有透露制造商的全称，但提到其团队是从多家中国企业抽调的DUV研发力量，其中一家是国有背景的初创公司上海宇量昇科技。中芯国际从2025年9月起，就一直在测试宇量昇的浸润式设备。
这三家首批客户——中芯国际、华虹半导体和长鑫存储——全部出现在美国众议院HR 8170法案的受限实体清单上。该法案把中芯国际、华虹半导体、长鑫存储、华为和长江存储一并列为法定限制对象，今年4月提出的MATCH法案更进一步，把禁止范围从新设备出口延伸到已安装机器的维修和技术协助。换句话说，已经在中国晶圆厂里跑着的ASML浸没式DUV光刻机，也可能被限制继续获得原厂服务。过去两年，这些工厂一直在通过二级渠道对存量机台进行升级，以勉强维持产能。
在国产化层面，新系统的绝大部分组件来自国内，但仍有部分关键部件依赖日本供应商。据消息人士透露，本地供应链的延迟也拖累了今年的实际产出。中芯国际对宇量昇浸润式工具的测试已持续近一年，目前尚未公布正式的量产导入结果。
同一时间，ASML正计划大幅扩充浸没式产能。在7月的财报电话会上，CFO罗杰·达森告诉分析师，2026年浸没式系统出货量预计在130台左右，与2025年持平，但2027年产能将增加30%，并且正在研究2028年再提升30%。ASML在中国市场的净销售额占比已从2025年的33%下滑到了目前的约20%，主要驱动力来自成熟制程逻辑芯片的需求。
技术层面，浸没式DUV能够在单次曝光下实现28纳米级别的特征尺寸，再借助多重图案化技术，可以一直推进到7纳米，代价是套刻精度的损耗和良率的压力。ASML CEO克里斯托夫·富凯在同一场电话会上提到，DRAM光刻密度的上升，部分正来自客户用更便宜的单次曝光EUV来替代多重图案化。国产浸没式DUV即便量产，面临的不仅是良率和供应链的考验，还有成本结构上的现实比较。
