前言
根据GaNFET.com的统计，当前市面上已有超过400款高压氮化镓功率器件，其中低于50mΩ导阻的氮化镓器件因优异的性能引起广泛关注。这些低导阻器件具备较低的导通损耗、更高的电流密度以及更小的封装尺寸，适用于高频、高效率的电源设计。
本文将分析目前各大厂商推出的低于50mΩ导阻的氮化镓器件，重点关注其规格参数、应用场景以及优势，为相关设计提供参考。
低导阻氮化镓
充电头网将GaNFET.com低导阻氮化镓统计数据汇总至上表，可见万国、GGD、氮矽、镓未来、英飞凌、英诺赛科、纳微、安世、瑞萨、德州仪器这些厂商均榜上有名。
AOS万国
万国AOTL035V65GA1
万国AOTL035V65GA1是一颗650V耐压，35mΩ导阻的增强型高压氮化镓，采用TOLL封装，适用于AC-DC和DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充等各类需要高效电源转换的场景应用。
CGD
CGDCGD65C025SP2
CGDCGD65C025SP2是一颗650V耐压，25mΩ导阻的增强型高压氮化镓，采用BHDFN10x10封装，适合工业、数据中心和通信电源以及工业电机驱动、光伏逆变、UPS、储能等多场景应用。
CGDCGD65D025SP2
CGDCGD65D025SP2是一颗650V耐压，25mΩ导阻的增强型高压氮化镓，采用BHDFN10x10封装。
DX氮矽
DX氮矽DX65TA030
氮矽DX65TA030是一颗700V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TOLL封装，可应用于快充电池充电器、LED照明驱动、电源功率因数校正、LLC谐振变换器、无线电能传输以及各类高功率密度AC-DC/DC-DC电源等场景。
DX氮矽DX65TA030S
DX65TA030S是一颗700V耐压、30mΩ导阻的增强型GaN，采用TOLL封装，可用于快充电池充电器、LED照明驱动、电源功率因数校正、LLC谐振变换器、无线电能传输以及各类高功率密度AC-DC/DC-DC电源等应用场景。
DX氮矽DX65TC030
DX65TA030S是一颗700V耐压、30mΩ导阻的增强型GaN，采用TOLL封装。
GaNext镓未来
GaNext镓未来G1N65R035TB
G1N65R035TB是一颗650V耐压、35mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TO-247封装。器件具适用于高频、高效率电源系统。典型应用包括半桥Buck/Boost拓扑、图腾柱PFC电路、逆变器、以及高效率LLC或移相软开关电源等场景，可显著提升功率密度与热性能，降低系统损耗与尺寸。
GaNext镓未来G1N65R035TD
G1N65R035TL-H是一颗650V耐压、33mΩ导阻的增强型氮化镓，采用带TOLL封装，可用于数据中心与通信电源、光伏微型逆变器、高压DC/DC转换器、车载OBC与DC-DC、电感式图腾柱PFC以及高频LLC等高功率密度、高效率电源应用场景。
GaNext镓未来G1N65R035TQ
镓未来G1N65R035TQ是一颗650V耐压、33mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TO247封装。
GaNext镓未来G2N65R015TB
G2N65R015TB是一颗650V耐压、15mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TO-247封装，适用于半桥Buck/Boost、图腾柱PFC、逆变器以及高效率、高频LLC和移相软开关等电源应用场景，可满足高电流、高功率等级下对低导通损耗与高可靠性的需求。
GaNext镓未来G2N65R035TB
镓未来G2N65R035TB是一颗650V耐压、35mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TO247封装。
GaNext镓未来G2N65R035TT
镓未来G2N65R035TT是一颗650V耐压、35mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TOLL封装。
Infineon英飞凌
Infineon英飞凌IGLT65R025D2
IGLT65R025D2是一颗650V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓功率器件，采用TOLT封装，可应用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS、以及高功率密度工业级AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGLT65R035D2
IGLT65R035D2是一颗650V耐压、42mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TOLT封装，适用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS、以及各类高功率密度工业级AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGLT65R045D2
IGLT65R045D2是一颗650V耐压、54mΩ导阻的增强型氮化镓功率器件，采用TOLT封装，可应用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS以及高功率密度工业级AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGOT65R025D2
IGOT65R025D2是一颗650V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓功率器件，采用PG-DSO-20封装，适用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS以及各类高功率密度AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGOT65R035D2
IGOT65R035D2是一颗650V耐压、42mΩ导阻的增强型氮化镓，采用PG-DSO-20封装，适用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS以及高功率密度AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGOT65R045D2
IGOT65R045D2是一颗650V耐压、54mΩ导阻的增强型氮化镓功率器件，采用PG-DSO-20封装，可应用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS以及各类高功率密度AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGT65R025D2
IGT65R025D2是一颗650V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TOLL封装，可用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS，以及各类高功率密度AC-DC/DC-DC电源转换场景。
Infineon英飞凌IGT65R035D2
IGT65R035D2是一颗650V耐压、42mΩ导阻的增强型（E-mode）氮化镓功率器件，采用TOLL封装，适用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS以及高功率密度AC-DC/DC-DC电源转换等应用场景。
Infineon英飞凌IGT65R045D2
IGT65R045D2是一颗650V耐压、54mΩ导阻的增强型氮化镓功率器件，采用TOLL封装，适用于图腾柱PFC、高频LLC谐振电源、数据中心与通信SMPS以及各类高功率密度AC-DC/DC-DC电源应用场景。
Innoscience英诺赛科
Innoscience英诺赛科INN650TA030AH
INN650TA030AH是一颗650V耐压、34mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TOLL封装，具备适用于AC-DC电源、DC-DC变换器、图腾柱PFC、快充电源以及高功率密度、高效率电源转换系统等应用场景。
Innoscience英诺赛科INN650TA030CS
INN650TA030CS是一颗650V耐压、35mΩ导阻的增强型氮化镓功率晶体管，采用TOLL封装，适用于AC-DC与DC-DC电源、服务器/电源模块、高功率密度DC-DC、图腾柱PFC以及谐振与软开关电源转换场景。
Innoscience英诺赛科INN650TA050AH
INN650TA050AH是一颗650V耐压、50mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TOLL封装适用于AC-DC电源、DC-DC变换器、DC-AC逆变器以及各类高功率密度、高效率电源转换应用场景。
Innoscience英诺赛科INN650TA050C
INN650TA050C是一颗650V耐压、50mΩ导阻的增强型，采用TOLL封装，具备低栅电荷（Qg≈9.4nC@400V）、零反向恢复电荷、脉冲电流能力77A等特性，可应用于AC-DC与DC-DC电源、高功率密度DC-DC模块、图腾柱PFC以及谐振与软开关电源转换等场景。
Navitas纳微
Navitas纳微NV6169
NV6169是一颗650V耐压、45mΩ导阻的增强型GaN功率器件，可应用于AC-DC电源、PFC电路、LLC谐振电源、服务器与电信电源以及高功率密度快充适配器等场景。
Navitas纳微NV6512C
NV6512C是一颗650V耐压、55mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、CCM/CRM-PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度场景。
Navitas纳微NV6513
NV6513是一颗650V耐压、45mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度应用场景。
Navitas纳微NV6514C
NV6514C是一颗650V耐压、25mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度场景。
Navitas纳微NV6515
NV6515是一颗650V耐压、35mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度应用场景。
Navitas纳微NV6522
NV6522是一颗650V耐压、55mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度场景。
Navitas纳微NV6523
NV6523是一颗650V耐压、45mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度场景。
Navitas纳微NV6524
NV6524是一颗650V耐压、25mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，可应用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度场景。
Navitas纳微NV6525
NV6525是一颗650V耐压、35mΩ导阻的增强型GaNSafe氮化镓功率IC，适用于AC-DC与DC-DC电源、图腾柱PFC、服务器与数据中心电源、光伏逆变与储能（ESS）、车载OBC及电机驱动等高功率密度应用场景。
Nexperia安世
Nexperia安世GAN039-650NBB
GAN039-650NBB是一颗650V耐压、33mΩ导阻的增强型氮化镓，采用CCPAK1212封装，可应用于工业与数据中心电源的硬开关/软开关变换器、无桥PFC、光伏与UPS逆变器以及伺服电机驱动等场景。
Nexperia安世GAN039-650NTB
GAN039-650NTB是一颗650V耐压、33mΩ导阻的增强型（E-mode）氮化镓FET，采用CCPAK1212i倒装封装，适用于工业与数据中心电源的硬开关/软开关变换器、无桥图腾柱PFC、光伏与UPS逆变器以及伺服电机驱动等应用场景。
Nexperia安世GAN041-650WSB
GAN039-650NTB是一颗650V耐压、33mΩ导阻的增强型氮化镓FET，采用CCPAK1212i封装，适用于工业与数据中心电源的硬开关/软开关变换器、无桥图腾柱PFC、光伏与UPS逆变器以及伺服电机驱动等应用场景。
Renesas瑞萨
Renesas瑞萨TP65H015G5WS
TP65H015G5WS是一颗650V耐压、18mΩ导阻的增强型氮化镓，采用TO-247封装，可应用于无桥图腾柱PFC、数据中心电源、工业电源、光伏逆变器及伺服电机驱动等高功率密度电源场景。
Renesas瑞萨TP65H030G4PRS
TP65H030G4PRS是一颗650V耐压、41mΩ导阻的增强型氮化镓FET，可应用于AI数据中心与通信电源、UPS、电动出行充电、光伏逆变器以及储能等高功率密度电源场景。
Renesas瑞萨TP65H030G4PWS
TP65H030G4PWS是一颗650V耐压、41mΩ导阻的增强型氮化镓，可应用于AI数据中心与通信电源、电动出行充电、光伏逆变器、UPS以及储能等高功率密度电源场景。
TI德州仪器
TI德州仪器LMG3422R030
LMG3422R030是一颗600V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓，适用于数据中心电源、5G通信电源、服务器与通信PSU、高功率密度AC-DC/DC-DC变换器等应用场景。
TI德州仪器LMG3425R030
LMG3425R030是一颗600V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓，集成驱动、电流保护和温度监测功能，适用于高效开关电源、数据中心电源、电商网络与服务器电源、光伏逆变器、UPS以及不间断电源系统等场景。
TI德州仪器LMG3426R030
TI德州仪器LMG3522R030
LMG3522R030是一颗600V耐压、30mΩ导阻的增强型氮化镓，集成驱动、过流保护和温度监测，适用于高效开关电源、数据中心电源、电商网络与服务器电源、光伏逆变器、UPS以及不间断电源系统等应用场景。
TI德州仪器LMG3522R030-Q1
LMG3522R030-Q1是一颗650V耐压、30mΩ导阻的氮化镓，集成驱动和保护功能，适用于高效开关电源。其应用场景包括电源系统、数据中心电源、服务器电源、UPS、光伏逆变器等。
TI德州仪器LMG3526R030
LMG3526R030是一款650V、30mΩ导阻的氮化镓，集成了驱动和保护功能，适用于高效开关电源。可在应用于AC-DC转换器、电动汽车OBC、UPS系统、光伏逆变器等领域，特别适合需要高频和高效能的电力转换场景应用。
TI德州仪器LMG3527R030
LMG3522R030是一款650V、30mΩ导阻的氮化镓，集成了驱动和保护功能。它可以在应用于AC-DC转换器、电动汽车OBC、UPS系统和光伏逆变器等领域。
TI德州仪器LMG3650R025
LMG3650R025是一款650V、25mΩ导阻的氮化镓，集成了驱动和保护功能。适合高效率、高功率密度的电力转换应用，广泛应用于商用网络和服务器电源、PFC、光伏逆变器和不间断电源系统等领域。
TI德州仪器LMG3650R035
LMG3650R035是一款650V、35mΩ导阻的GaN，集成了驱动和保护功能，适用于高效开关电源，非常适合用于PFC、太阳能逆变器、商用网络和服务器电源等应用。
充电头网总结
通过对当前市场上低导阻高压氮化镓器件的分析，可以看出，众多厂商纷纷推出了不同规格、封装形式和应用场景的氮化镓器件。这些器件广泛应用于快充、数据中心电源、太阳能逆变、储能等领域，可充分发挥低导阻氮化镓在提升功率密度、以及系统效率方面的优势。
热门跟贴