无线充电技术为移动终端带来更大的灵活性和便利性，然而之前三星S7等少数旗舰机基于感应线圈原理设计，不仅增加手机厚度，同时也需要手机背部材质 不能为金属，再加上对手机放置位置的要求苛刻、以及充电速度缓慢，用户实际体验并不好，因此无线充电技术在手机圈还没有广泛流行起来。

不过，全球领先的芯片厂商Qualcomm则基于近场磁共振技术推出了一种称为WiPower的无线充电技术，并将该功能用于骁龙820处理器上。Qualcomm近日在深圳举办“快充无极限 无线芯体验”充电技术分享交流会上详细介绍了该技术。

跟之前大家熟悉的Qi无线充电技术不同，Qualcomm WiPower技术基于近场磁共振技术，使众多兼容该技术的消费电子设备和手机终端不再需要精确对准或直接物理接触也能充电。此外，该技术还支持不同功率 要求的多个终端同时充电，并通过使用Bluetooth Smart最大限度地降低硬件要求。

值得一提的是，金属机身是近些年智能手机设计的潮流，如何实现金属机身的无线充电是业界关注的话题，而Qualcomm WiPower技术能够突破性地支持金属终端无线充电。此外，这一技术还符合Rezence标准，在充电范围内如果有钥匙和硬币等物体，都不会影响终端的 充电过程。WiPower拥有为功率要求达22瓦的终端进行充电的能力，保证其充电速度与其他无线充电技术相同，甚至更快。

另外，Qualcomm还推出了Quick Charge 3.0快充技术，包括骁龙821、820、652、650及625在内的多款处理器均支持。据悉，目前已经有超过100款移动终端和350款配件支持Qualcomm的Quick Charge技术。