近日，韩国首尔中央地方法院就一起震动全球半导体行业的“商业窃密案”作出一审判决，56岁的三星前工程师全某因向中国某存储芯片企业泄露核心技术，违反韩国《产业技术保护法》，被判处7年有期徒刑。

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早在2025年12月，韩国检方曾对10名三星前员工集体提起公诉，指控他们涉嫌向中国某存储企业泄露关键芯片制造知识产权。

法院审理查明，全某在三星10nm级DRAM技术研发周期内离职，随后入职对手公司，通过手写笔记的方式，窃取并传递了超过600项DRAM制造的详细工艺步骤，核心涉及三星耗时五年、投入1.6万亿韩元（约合10.8亿美元）研发的10nm级DRAM全套技术数据。

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法院明确认定，涉案技术属于韩国“核心国家技术”，其泄露行为给韩国带来了潜在万亿韩元级别的经济损失，同时帮助中国对手企业获得了显著的技术先发优势，使其10nm级HBM2内存产品的亮相时间远超行业预期。

检方指出，在先进光刻机获取受限的背景下，该企业的技术跃迁速度完全超出常规发展节奏，显然是三星核心知识产权推动的直接结果。

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检方指控显示，全某通过此次技术泄露获得了丰厚回报，累计拿到29亿韩元（约合200万美元）的资金，外加对手公司的股票期权及其他合同约定的激励权益。不过法院在最终量刑时，将全某案发时在三星的薪酬偏低情况列为了减刑考量因素。

当下，随着AI算力需求爆发，三星、SK海力士、美光等主流DRAM厂商纷纷集中产能优先生产AI加速器所需的HBM产品，导致通用内存出现明显供应缺口，价格持续上涨。

在全球芯片技术发展最紧要的关口，韩国的这个判决还是太轻了。