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本文来自EETOP博客，作者：sea11038

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原文（一张图）：

坛友问的一个问题，推导了一下，原理不复杂，具体设计时还要结合工艺的失配参数继续推导和计算。

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以下内容为AI解读整理成了一份结构清晰、公式完整的笔记（不一定100%正确，请参考原图）

MOS 电流镜失配分析（含源极负反馈）

一、基础电流镜（无电阻）

1. 电流方程

饱和区 MOS 电流：

其中 为阈值电压。

2. 一阶误差推导

对电流做全微分，考虑 和 的失配：

代入得到：

3. 相对电流误差

两边除以 ：

4. 误差方差（随机失配）

假设 与 相互独立，方差为：

二、带源极电阻的电流镜（源极负反馈）

1. 电流方程

源极串联电阻 后，栅源电压关系变为：

因此电流方程为：

2. 一阶误差推导

对电流做全微分，考虑 、 和 的失配：

分别求偏导：

代入得到：

整理后：

3. 相对电流误差

两边除以 ：

当 时，第二项可近似为：

4. 误差方差（随机失配）

假设 、、 相互独立，方差为：

三、关键结论

1源极负反馈的衰减作用：
MOS 管参数（、）失配带来的电流误差，被源极负反馈衰减了 倍，因此电流镜匹配度显著提升。

1电阻失配成为新的误差源：
电阻 的失配 会直接反映到电流误差中，成为主导误差源之一，设计时需同时保证电阻的匹配精度。

设计权衡：
增大 可以进一步抑制 MOS 管失配，但电阻失配的影响不会被衰减，反而会随 增大而更受关注，需在两者之间做平衡。

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