首尔中央地方法院4月22日表示，一名曾在三星电子任职的研究员因向一家中国企业泄露半导体技术，被判处七年监禁。法院认定，这名仅以姓氏对外公布的被告违反了《产业技术保护法》，其泄露的数据被界定为“国家核心技术”，且他系与他人共谋实施泄密行为。

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该名56岁的前研究员是韩国检方去年起诉的10名嫌疑人之一，他们被指涉嫌向中国存储芯片制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）泄露存储芯片制造工艺。韩方有关部门当时称，该案帮助中国在开发高带宽存储器（HBM）方面“铺平道路”，而HBM是人工智能计算的重要关键部件之一。三星电子对此拒绝发表评论，长鑫存储则尚未就置评请求作出回应。

韩国联合通讯社报道称，这名研究员在离开三星电子后，与一名前三星高管一同投身长鑫存储，并在此过程中向该公司提供了三星的DRAM工艺技术。据该社援引检方消息人士的话称，这名被告在六年间从长鑫存储方面共计收取约29亿韩元（约合196万美元）报酬。首尔中央地方检察厅在被路透社联系时未能立即发表评论。

长鑫存储去年表示，计划通过在上海发行106亿股股份进行首次公开募股，筹资295亿元人民币（约合43.3亿美元）。该公司称，募资所得将用于升级其生产线和相关技术，以扩大DRAM产能和提升工艺水平。报道同时援引当日汇率指出，1美元约合6.8204元人民币，约合1477.45韩元。