三星电子计划采用竞争对手SK海力士的芯片制造技术,促进高带宽存储芯片的生产,为人工智能应用提供动力。三星电子公司使用传统非导电胶(NCF)技术制造芯片,现在采用大规模回流模压下填充(MR-MOF)方法。

三星最近发布针对芯片制造设备的采购订单,设计用于处理MOF技术,这表明其增加的方法有所转变。该公司计划将NCF技术和MOF技术用于其最新的HOM芯片,但使用MOF高端芯片无法在明年实现大规模生产。

在向人工智能芯片领导者英伟达供应HBM芯片方面，三星落后于SK海力士和美光科技。三星一直完全依赖NCF技术，这造成一些生产问题，可能导致生产芯片的落后。相反，SK海力士切换到MR-MUF方法，解决了NCF的弱点。

三星声称其NCF技术足够生产HBM芯片,并发表声明，关于三星将在其HBM生产中使用MR-MUF的谣言是不真实的。但有消息称,三星已经在与材料制造商进行谈判,包括日本的Nagase集团,寻找MUF材料。

三星公司的HBM3产量估计约为10-20%,而SK海力士公司的HBM3产量约为60-70%。

基于AI相关的需求,HBM芯片市场预计今年将增加一倍,达到近90亿美元。SK海力士公司改用MR-MUF技术,抢先成为英伟达的HBM芯片的供应商，在HBM3和更先进的HBM产品中占据市场份额。

非导电胶芯片制造技术是芯片制造商在紧凑型高带宽存储芯片组中堆叠多层芯片的一种方法。这项技术使用热压缩薄膜,以最小化堆叠芯片之间的空间,允许更高的内存密度和改进的性能。

这种方法的挑战之一是使用粘合材料,增加更多层，这可能会提高制造的复杂性,为了应对这些挑战,像三星这样的芯片制造商正在寻找传统粘合材料的替代品。