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据消息，SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。
据悉，SK Hynix于本周一更新了其第七代高带宽内存——HBM4E的最新研发时间表。据媒体道，这家存储巨头的产品世代更迭周期已由原来的两年缩短为一年，并有望在2026年如期推出HBM4E。
SK海力士副总裁金春焕（Chun-hwan Kim）也曾表示，公司计划同样在2026年开始大规模生产第六代HBM家族产品——HBM4。HBM4E将成为SK Hynix首款采用10纳米级别第六代（1c）DRAM技术制造的芯片。它预计将使用32Gb DRAM构建，并以1c DRAM作为核心晶片。
此次合作，台积电将负责基础芯片前端工艺（FEOL）、后续布线工艺（BEOL）等，晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责，后续制程将由SK海力士处理。业界预测，SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
HBM市场由韩国SK海力士主导，据分析师称，直到最近，它还是人工智能芯片巨头英伟达的唯一HBM供应商，以及三星、美光科技公司。
三星作为SK海力士在存储领域的主要竞争对手，也计划在2026年开始大规模生产HBM4。