戴尔：下半年SSD和DRAM成本将逐季上涨，涨幅约10%-20%；消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术|dram|nand|低温蚀刻技术|处理器|戴尔|英特尔|铠侠

【热点速读】
1、消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术
2、戴尔：下半年SSD和DRAM成本将逐季上涨，涨幅约10%-20%
3、ASML与Imec合建实验室测试High-NA EUV
4、AMD宣布AI芯片规划：今年将推出MI325X，搭载288GB HBM3E
5、Arm：5年内在Windows PC市场市占率突破50%
6、机构：中国市场PC库存仍高，今年全球PC销售量预计与去年持平
7、英特尔展示Lunar Lake处理器及AI PC开发套件

1、消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

据日媒报道，铠侠将在2026年量产第10代NAND，并将采用低温蚀刻的新技术，可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称，这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔（memoryhole），以更快的时间形成，因此能提高单位时间的生产量。

目前，Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算，蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术，可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔，有望从Lam Research手中分得一杯羹。

2、戴尔：下半年SSD和DRAM成本将逐季上涨，涨幅约10%-20%

戴尔首席运营官杰弗里·克拉克在2025财年第一季度财报电话会议上透露，预计下半年DRAM内存和固态硬盘价格将上涨15%至20%。克拉克指出，当前季度是戴尔全年成本最低点，未来几个季度成本将面临阶梯式增长，主要由DRAM和固态硬盘供不应求所推动。

戴尔分析，AI服务器订单的增加将极大推动对高性能DRAM和大容量存储介质的需求，迅速消耗库存。同时，存储行业资本支出不足、工厂利用率低、晶圆开工率低，导致供应端难以满足市场需求，进一步加剧供需不平衡。为应对成本上升，戴尔计划通过积极的定价调整来维持利润率，目标在90天内抵消三分之二的成本上涨影响。公司还将审视整个产品组合中固态硬盘和DRAM成本结构，并做出相应调整，以适应市场变化。

3、ASML与Imec合建实验室测试High-NA EUV

据ASML官方消息，ASML已与比利时芯片研究公司Imec合作开设一个实验室，该实验室由 ASML 和 imec 共同运营，用于测试其High-NA EUV。

新的High-NA EUV能生产新一代更小、效能更快的芯片。ASML称，预计客户将在2025-2026年开始使用这款新设备进行商业生产。

ASML-imec High-NA EUV联合实验室旨在帮助客户降低技术风险，并在设备在其生产工厂投入使用之前开发私有的High-NA EUV 用例。还将向更广泛的材料和设备供应商生态系统以及 imec 的High-NA图案化计划提供访问权限。

4、AMD宣布AI芯片规划：今年将推出MI325X，搭载288GB HBM3E

AMD董事长兼CEO苏姿丰在COMPUTEX上除了发表新款AI PC处理器，还介绍了未来数据中心芯片规划路线。

AMD今年将推出采用HBM3E的Instinct MI325X，预计将于2024年第四季度上市。MI325X将搭载高达288GB HBM3E，提供每秒6TB带宽。存储频宽提高一倍，效能提升1.3倍，且基础设施与MI 300X相同，便于客户过渡。

2025年推出采用CDNA 4架构的MI 350X芯片，以先进3nm芯片制程生产，号称AI效能跃进幅度为AMD史上最大，2026年将推出MIX 400X系列芯片。

5、Arm：5年内在Windows PC市场市占率突破50%

随着微软及其硬件合作伙伴即将推出一系列基于Arm架构处理器的AI PC，Arm CEO表示，目标是在5年内拿下超过50%的Windows个人电脑(PC)市占。

消息称微软已投入大量资料，以确保Arm代替超微和英特尔x86的技术能被消费者接受，并且建立一套软件开发工具，使开发商能够打造在Arm架构芯片的程序。

高通已设计了首款Arm架构的芯片，向消费者及企业推出采用Windows操作系统的Arm处理器电脑，其他厂商也会陆续跟进。