存储之争：美光 vs SK海力士的较量
存储之争：美光vsSK海力士
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
美光近期成功推出了其第五代HBM——HBM3E12层芯片，标志着存储技术的一次重要飞跃。这款新型芯片不仅在内存层数上突破了行业界限，还在容量和性能上显著提升。
作为全球第三大内存半导体公司，美光在9月9日隆重宣布了这款全新的12层堆栈HBM3E内存产品。它具有令人瞩目的36GB容量，专为AI和HPC（高性能计算）领域的先进处理器设计，包括英伟达的H200和B100/B200GPU。这个容量的突破使得数据中心在单个处理器上能够处理更大规模的AI模型，从而减少了对CPU的频繁卸载需求，并显著降低了GPU间的通信延迟，提高了数据处理效率。
在性能方面，美光的HBM3E内存可提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。美光自信地表示，其HBM3E不仅在内存容量上超越了竞争对手的8层版本，功耗也得到了有效控制。这一进步在提供更高内存容
量的同时，也带来了更优的能效表现。
美光在这一新型内存中还内置了一个完全可编程的内存自检系统（MBIST），旨存储之争：美光 vs SK海力士的较量
存储之争：美光vsSK海力士
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
美光近期成功推出了其第五代HBM——HBM3E12层芯片，标志着存储技术的一次重要飞跃。这款新型芯片不仅在内存层数上突破了行业界限，还在容量和性能上显著提升。
作为全球第三大内存半导体公司，美光在9月9日隆重宣布了这款全新的12层堆栈HBM3E内存产品。它具有令人瞩目的36GB容量，专为AI和HPC（高性能计算）领域的先进处理器设计，包括英伟达的H200和B100/B200GPU。这个容量的突破使得数据中心在单个处理器上能够处理更大规模的AI模型，从而减少了对CPU的频繁卸载需求，并显著降低了GPU间的通信延迟，提高了数据处理效率。
在性能方面，美光的HBM3E内存可提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。美光自信地表示，其HBM3E不仅在内存容量上超越了竞争对手的8层版本，功耗也得到了有效控制。这一进步在提供更高内存容量的同时，也带来了更优的能效表现。
美光在这一新型内存中还内置了一个完全可编程的内存自检系统（MBIST），旨{shoes-fashion.cn}{www.3344my.cn}在为客户提供更快速的产品上市时间和更高的可靠性。这一系统可以全速模拟系统级流量，进行全面的测试和加速验证，确保新系统的稳定性和性能。
此外，这款HBM3E内存设备兼容台积电的CoWoS封装技术，这种技术被广泛应用于英伟达的H100和H200等AI处理器的封装中。美光已经将样品提供给主要合作伙伴，{nifangxin.cn}{www.218mv.cn}以便在AI生态系统中进
行验证测试。公司也强调了制造人工智能系统的复杂性，HBM3E并非孤立存在，而是需要与内存供应商、产品客户及OSAT企业紧密合作。美光与全球最大的半导体代工制造商台积电维持着长期战略合作关系，是台积电3DFabric先进封装联盟的成员之一。
台积电生态系统与联盟管理处处长Da{456kkk.cn}{www.pbmsm.cn}nKochpatcharin曾表示：“台积电与美光一直保持着长期的战略合作伙伴关系。作为OIP生态系统的一部分，我们密切合作，确保美光基于HBM3E的系统能够与CoWoS封装设计相匹配，以支持客户的人工智能创新。”
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自2014年首款硅穿孔HB{interfor.com.cn}{www.nzintl.cn}M产品问世以来，HBM技术已经经历了五次重要的升级。最初的HBM（第一代）到HBM2（第二代），再到HBM2E（第三代），接着是HBM3（第四代），直到目前的HBM3E（第五代）。每一代的进步都在数据速率和容量密度上有所体现。HBM芯片的容量从最初的1GB跃升至36GB，带宽从128GB/s飞跃{qiasan.cn}{www
.pjkn.com.cn}至1.2TB/s，而数据传输速率也从1Gbps攀升至9.2Gbps，这些变化无疑提升了处理速度和存储能力。
作为全球领先的半导体制造商，SK海力士在HBM存储领域的地位尤为重要。该公司计划于2024年9月底实现12层HBM3E内存的量产，这一举措将进一步巩固其在高端存储市场中的领先地位。SK海力{dnx8.cn}{www.391j.cn}士的HBM3E内存不仅具备卓越的性能和低功耗特性，还已通过了关键性能测试，确保了在高负载下的稳定性。
目前，SK海力士和美光正在向英伟达提供8层HBM3E芯片。三星电子也已通过英伟达的HBM3E8层产品测试并开始出货，尽管英伟达和三星对这一进展保持沉默，目前还没有其他芯片制造商正式声明向英伟达供{ysjinchao.cn}{www.hlnkhy.cn}应HBM3E12层芯片。
SK海力士已向英伟达交付了HBM3E12层样品，并预计将于今年第四季度开始正式出货。三星电子虽然也交付了样品，但仍在进行质量测试。
一些分析师指出，英伟达正在试图在HBM供应商之间制造竞争。英伟达首席执行官黄仁勋在4月与SK集团董事长崔泰源会面时，要求SK海力士尽快提供{zzl8.com.cn}{www.1lx.com.cn}产品及研发订单，显示出双方紧密的合作关系。此前，在3月的英伟达开发者大会上，黄仁勋在三星展位签名称赞三星为“非凡的公司”。
从市场策略来看，SK海力士凭借成为目前唯一绑定英伟达AIGPU的HBM3存储供应商，巩固了其在HBM存储市场的领导地位，预计2024年的HBM产能可能已被预订一空。美光则通{xinda-toys.cn}{www.uhome365.cn}过其HBM3E产品在能效和性能上的优势，试图在高端内存市场获得竞争优势，也引起了广泛关注。
随着AI技术的快速发展，HBM的需求也在迅猛增长。知名研究机构预测，HBM存储产品的市场规模将从2024年的约25.2亿美元激增至2029年的79.5亿美元。在这一市场前景下，美光与SK海力士的竞争将对H{893300.cn}{www.wllra.cn}BM市场的格局产生深远影响，包括市场份额的变化、技术的发展方向及对下游AI产业的支持等方面。
美光也在积极开发下一代内存解决方案，包括HBM4和HBM4E。这些新型内存将继续满足AI处理器（尤其是基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对高性能内存日益增长的需求。
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