三季度以来手机终端备货需求走弱，令原厂一大增长引擎熄火，消费类市场面临更严峻的供需挑战。面向手机端，原厂在稳市占的基调下随行就市调整价格，继续将手机、PC超过需求计划的部分产能转产至服务器，调控消费类市场实际的供需水平。在竞争较为缓和的产品中争取更多利润空间，小幅推涨服务器端ASP价格。大方向来看，原厂倾向于稳市场保利润，针对局部竞争激烈的产品，下修缺乏需求支撑的价格，以随行就市守住份额的态度应对。因此，市场结构性涨跌各异，不同产品线走出各自独立的行情。
NAND方面，随着原厂新制程产能释放，NAND整体供应充裕，需求端库存水位也已经逐步上升，而服务器承载的NAND产能有限，NAND供应增长令NAND ASP正在见顶。由于NAND供应商较DRAM更多，制程品类也更复杂，原厂更难控制NAND市场供应，NAND供应策略摇摆不确定性也更大。
另一方面，虽然今年北美服务器市场对QLC SSD需求激增带动部分原厂QLC NAND供应紧张，然而国内市场服务器与mobile QLC导入进展缓慢，缺乏需求支持下，QLC NAND整体降价压力较 TLC NAND更大，部分原厂或将QLC NAND产能调整至TLC NAND，以缓解出货压力。
来源：CFM闪存市场
DRAM方面，结构性分化更严重,DRAM产品涨跌各异。由于部分存储原厂LPDDR4X产能快速攀升补位供应，LPDDR4X供需失衡价格下挫，LPDDR5X价格单点上涨难度加大。部分原厂计划针对性减产旧制程DRAM产品，减少1z DRAM产能供应，加速向1b DRAM等先进制程切换。整体来看，主力原厂将减少DDR4/LPDDR4X产出，提高服务器DDR5及HBM产量。预计至2024年底，三星、SK海力士和美光合计达到30万片的HBM月产能，明年全球HBM市场规模将超过300亿美元，HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。
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