再度突破！欧美的优势逐步弱化，哈工大确认新技术！
原来此前一直都在“藏着掖着”！近期国内科技产业可谓好消息不断，“光子芯片”、“量子芯片”神秘的面纱相继被揭开，此前一度被认为是“谣传”的消息，如今真实的出现在了我们眼前。
在一月底，央媒探访了国内首条量子芯片生产线，得知成品“悟空量子芯片”即将量产，全国算力最强的计算机将很快诞生，关键的是从研发设计、到最终的制造成型，在软硬件设施上均已实现完全的自主化。
无独有偶，被认定为最难突破的光刻机，再度传来了好消息，哈工大突破的高速超精密极光干涉仪技术，获得了我国光学学会最高奖，可见其有多么的重量级了，那这项技术究竟是干嘛用的呢？
哈工大再创壮举
目前国内最顶尖的量产工艺为14nm，但这并非是无法进一步探索了，实则在梁孟松的帮助下，中芯国际早就实现了7nm技术，但苦于无法获取尖端的EUV光刻机，导致始终无法突破到量产级别，此前向ASML订购的高端设备，也因为各种原因告吹了。
在芯片规则全面实施之后，华为获取芯片的途径完全被切断，这时国家也意识到了产业自主化的重要性，而光刻机的研发也成为了难以逾越的“鸿沟”，但却是不得不去做的事。
理由也很简单，最先进的EUV光刻机，所需要的零部件多达数十万，目前没有任何一个国家能够独立制造，即便是ASML也需要集结二十多个国家的核心技术，实际的自主化比率不足10%，显然这是一个高度依赖于国际供应链的产物。
ASML的负责人曾叫嚣道：“就算把图纸摆在面前，高端的光刻机我们也制造不出来！”彼时的中国供应链，也的确是一点办法没有，但看到中国半导体产业链的升级之后，ASML改口为了：“持续限制光刻设备的出口，将会加速中国产业的自主化。”
ASML能够垄断全球市场，其眼光自然是很独到的，如今还真就逐步应验了他们的话，根据最新消息显示，哈工大在光刻机的研发上再度立功了，成功研制出了高速超精密极光干涉仪，目前可以应用于350nm至28nm工艺的光刻机样机集成研制和性能测试。
除此之外负责人还表示：“这项技术的突破，可以为7nm及以下工艺节点的光刻机研发，提供重要的共性技术储备！”
而哈工大在光刻机领域的壮举不仅限于此，研究团队多研发的EUV光源技术，是和ASML所采用的几乎同级别，同时还突破了核心的双工件台技术，核心的技术接连实现突破，在最大程度上缩减了和欧美的差距，距离国产的EUV光刻机突破更近了一步。
有望迎来产业升级？
芯片的下行市场已经生变，没有颠覆性技术的诞生，导致手机和电脑的销量持续下滑，自然高端芯片的出货量也不理想，反倒是智能汽车、万物互联产业的崛起，成熟工艺芯片需求反倒成倍增长。
这也应验了之前倪光南院士的预测，目前对于芯片的主要需求集中在28nm工艺上，因此现阶段中企无需过度追求先进工艺，要想方设法搭建出完全自主化的芯片生产线。
而一切的关键就回归到了光刻机的突破上，目前对于28nm的DUV光刻机，所有的核心技术均已实现了突破，只要能够得到供应链的支持，实现真正的国产化并不难。
华为的芯片堆叠工艺，已经通过苹果公司的验证，证实了利用2颗14nm芯片的堆叠，是可以实现不亚于7nm芯片性能的，这就意味着只要国内完成了14纳米芯片的自主化量产，对于高端芯片需求的问题也顺带解决。
目前在颠覆性技术的研发上，中国已经走在了一线的行列，并且掌握的核心专利足够主导后续的技术走向，量子芯片的生产线，已经成功步入了量产阶段，而光子芯片产能，也将于2023年投产。
显然这项新技术才是未来，坚持突破硅基芯片技术，是着眼于当下不被排挤，相信在中企的不断努力之下，未来中国半导体产业将成为领头羊，对此你们是怎么看的？
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