AI市场热度有增无减，推动存储器需求水涨船高，高性能HBM、大容量闪存产品备受青睐，近期三星、SK海力士、美光、铠侠也披露了多个项目最新动态；与此同时，传统存储产品却传来减产消息。全球经济发展形势仍不明朗，消费电子需求迟迟未见明确复苏信号，未来存储器产业挑战依然存在。
传统NAND、DDR4等存储产品或被减产
存储市场近期喜忧掺半，据外媒和存储厂商最新消息，由于消费电子市场复苏不及预期，包括三星、SK海力士、铠侠开始酝酿减产以应对变化。具体减产措施上，三星、铠侠拟于2025年开始对NAND进行减产，预计依照市场况状进行分阶段减产。SK海力士则逐步降低DDR4传统DRAM生产比重，从而将有限产能转向人工智能用存储器及先进DRAM产品。
三星近期公布了最新的三季度财报，三星官方表示其业绩不及预期，该部门主管也罕见声明为业务陷入困境致歉。据悉，三星实现营收79.1万亿韩元，同比增长17.2%；营业利润9.18万亿韩元，同比增长274.5%，但环比下降12.8%，并且该数据明显低于伦敦证券交易所估计的11.456万亿韩元的营业利润。
三星也在最新的财报电话会议中表示，计划削减传统DRAM和NAND闪存的产量。三星设备解决方案（DS）副总裁KimJae-joon表示，公司正下调通用DRAM与NAND存储产品的产量，以符合逐渐下滑的市场需求。行业人士透露，三星预计将减少以DDR4为主的产能，把部分DDR4产能转移至DDR5、LPDDR5以及HBM等先进产品的生产上。
针对市场传闻的在今年四季度减产NAND消息，三星表示公司无意在第四季度减少NAND产量，但将根据市场情况灵活调整。据悉，三星电子已逐步开始对中国西安的NAND闪存工厂生产线旧设备进行销售，预计出售过程将于2025年正式开始，其中大部分是100层3D NAND设备。自去年以来，三星一直致力于将西安工厂的工艺从100层3D NAND升级至200层。
铠侠方面，供应链市场最新消息显示，为应对生成性AI浪潮需求，铠侠将于2025年大规模生产第八代NAND设备，并准备投产最先进存储产品以及准备上市等事宜。由于担心未来库存上升，铠侠计划在第四季度减少NAND产量，以避免产能过剩问题。对此传闻，铠侠并未进行回应。
SK海力士方面，据业界消息人士本月初透露，将降低其DDR4 DRAM芯片产能。今年第3季度SK海力士DDR4的生产比重已从第2季度的40%降至30%，第4季度更计划进一步降至20%，并将把有限产能转向人工智能用存储产品及先进DRAM产品。对此消息，SK海力士并未进行回应。
从市场情况看，目前服务器DRAM需求稳定且呈增长趋势，随着云计算和数据中心需求的增长，包括AWS、Meta、Azure、Google、百度、HPE、Dell、阿里云等CSP（云服务提供商）科技巨头持续投资服务器的推动，DDR5等芯片和内存模组的采用情况也在逐步上升。与此同时，由于个人电脑需求下降等因素，PC DRAM芯片的销售有所停滞。
NAND方面，综合行业多方消息显示，2023年主要的NAND生产线利用率下降至50％之后，在2024年中期产能利用率曾恢复到80%~90%。而至今年三四季度，市场现货交易价格呈向弱趋势，产能利用率也逐步下降。目前市场上除大容量NAND工艺外，通用NAND产品的需求仍然较低，这促使企业根据市场情况进一步调整利用率。目前，多家存储厂商正在将生产重点进一步集中至高附加值存储产品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企业级固态硬盘（eSSDs）等产品上。
存储市场NAND/DRAM新增多条产线
近期，三星、SK海力士、美光、铠侠也披露了多个扩产/新建计划，重点无一例外均聚焦于高附加值存储产品如HBM、CXL或eSSDs上。最新的市场技术进展也频频引起市场关注。在当下存储市场冷热分明情况下，存储厂商的的投资愈发精细化，聚焦先进尖端技术和高价值产品成为大方向。
1、三星将扩建中国苏州和韩国半导体封装工厂，配备HBM生产线
在DRAM扩产上，近期外媒最新消息显示，三星内部已于三季度决定调整平泽P4制造综合体一期（Phase 1）的产能分配，从纯NAND调整为NAND+DRAM。目前三星在平泽共建成有P1、P2、P3三座工厂，P4工厂预计将于今年年底完工，明年投产。此外，P5工厂也正在建设中，不同于P1-P4的四个洁净室，P5是一座拥有八个洁净室的大型晶圆厂。除新建工厂产线外，三星电子还在针对旧产线改造，如计划将P2工厂的DRAM生产线由生产1z DRAM改为1b DRAM或更尖端的DRAM产线。
而聚焦在HBM上，11月21日消息，由于HBM产品中封装重要性不断加强，三星电子正在扩大对国内外生产基地的投资，以加强其半导体先进封装业务。据悉，近日三星签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同，以扩大其中国苏州工厂的生产设施，该合同价值约200亿韩元。另外三星高管表示，公司将扩建其位于忠清南道的半导体封装设施，以提高高带宽内存(HBM)芯片的产量。据悉，三星已经与韩国忠清南道政府、天安市政府签署投资谅解备忘录，上述两级政府拟对三星的新半导体封装工厂提供行政和财政上的支持，确保三星电子的投资顺利进行。
三星看到了在AI时代下HBM市场的巨大潜力，并正在为其落后局面努力追赶。该公司指出，其下一代HBM4计划在2025年下半年开始大规模生产。三星在HBM市场能否卷土重来的关键，还在于英伟达。毕竟英伟达在AI芯片市场上占据着主导地位，市场份额超80%。对此三星发言人特别表示，该公司在HBM3E方面取得了“有意义的进展”，并且已经“完成了认证过程中的一个重要阶段”。预计将在第四季度开始扩大系列产品的销售。
为了加速推进其HBM研发进展，据台积电方披露，三星正与其联手合作开发下一代无缓冲（buffer-less）HBM4芯片。并且在HBM的设计上，三星原定采用7纳米工艺，但现在计划将工艺提升至4纳米，以期在芯片性能和用电量方面表现更优秀。
2、SK海力士宣布开发16层HBM3E芯片，明年初提供样品
SK海力士在存储市场上的发展势头十分强劲，尤其在HBM领域，可谓是一马当前。三季度其业绩创历史新高，并且由于其高性能DRAM产品供不应求，急需额外的设施加码投资。
据SK集团董事长Chey Tae-won近期透露，SK海力士正与英伟达、台积电紧密合作，旨在解决当前面临的供应瓶颈问题。据他所述，英伟达CEO在一次高层会议上明确提出，希望SK海力士能将下一代高带宽内存芯片HBM4的供应时间提前六个月，SK海力士原计划在2025年下半年正式向客户交付HBM4芯片。
据韩媒报道，SK海力士正全力推进第5代1b DRAM的产能提升，计划将月产能从年初的1万片激增至年底的9万片，到明年上半年进一步提升至14万-15万片，实现产能的飞跃式增长，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。
公开资料显示，SK海力士（包括Solidigm）的存储生产基地主要分布在韩国和中国，其中NAND Flash生产基地位于韩国和中国大连，DRAM生产基地位于韩国和中国无锡。据悉，SK海力士正在考虑将其清州M14、M15X、M16工厂的部分NAND产能转用于生产HBM。其中，SK海力士已开始向清州M15X工厂订购设备，并决定进行额外投资。该厂计划于明年11月竣工并生产包括HBM在内的DRAM产品。另外，11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）*4D NAND闪存。
在最近披露的资本支出数据上，SK海力士表示今年的资本投资将在18万亿韩元左右，较年初计划略有增加，原因是对HBM需求高涨以及决定投资忠清北道清州市的M15X。并且由于HBM稳定供应的投资和龙仁基础设施的持续投资，预计明年的设施投资将超过今年20万亿韩元。
SK海力士在HBM上的研发一直走在最前列。据SK海力士官方消息，SK海力士正在从现有的HBM3迅速转换至8层HBM3E产品，而近期开始量产的12层HBM3E按原定计划将在今年第四季度开始供货。由此，在第三季度DRAM总销售额中占据30%的HBM比重预计在今年第四季度达到40%。
并且SK海力士的HBM产品更新迭代速度在加快，SK海力士近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。根据TrendForce集邦咨询最新研究，这款新产品的潜在应用包括CSP（云端服务业者）自行研发的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量产前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。
TrendForce集邦咨询表示，SK hynix的HBM3e 16hi将采用Advanced MR-MUF堆栈制程，与TC-NCF制程相比，使用MR-MUF的产品更容易达到高堆栈层数及高运算频宽。在HBM4及HBM4e世代皆预计设计16hi产品的情况下，SK hynix率先量产HBM3e 16hi，将能及早累积此堆栈层数的量产经验，以加速后续HBM4 16hi的量产时程。SK hynix后续亦不排除再推出hybrid bonding（混合键合）制程版本的16hi产品，以拓展运算频宽更高的应用客群。
3、美光多地工厂产线扩建带来最新消息，HBM产能将扩充
据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%。2023年，则为SK海力士约53%，三星约38%，美光约9%。美光在今年年中表示，目前正积极强化技术并同步扩充产能，预期到2025年HBM市占率能与其DRAM市占率相当，约20-25%。从约10%提升至约20-25%，美光为何对其HBM产品如此有信心？
综合行业各方消息显示，美光正在世界各地的加码扩产。据悉，美光在中国台湾的工厂将于2025年开始生产1γ DRAM，其日本广岛工厂将于2026年开始生产。近期，美光在其2024财年三季度的财务报告中也进一步明确了美国爱达荷州和纽约两地工厂的运营时间表，爱达荷州的新工厂将在2026年9月至2027年9月之间投产，纽约工厂的投产时间则预计在2028年或之后。
美光将根据未来DRAM内存的需求情况，合理安排这些工厂的设备投资和生产计划。据悉，这些新工厂的建设是为了满足近10年内的供应增长需求。并且，据行业最新消息显示，美光还正在考虑在马来西亚增设生产基地，以及期望在中国台湾收购相关的面板厂以进行扩产。
美光科技预计2024财年的财务支出约为80亿美元，晶圆厂设备（WFE）的年度支出有所减少。而在2024财年最后一个季度，公司预计将投入约30亿美元用于工厂建设、新晶圆厂设备购置以及多项扩展和升级项目。对于2025财年，美光计划大幅增加财务支出，预计支出将占到收入的30%以上。具体看，美光表示2025财年的季度财务支出将超过2024财年第四季度的30亿美元，这意味着2025财年的总支出将超过120亿美元。据悉，在2025财年的财务支出中，美光科技除了有超过20亿美元用于在爱达荷州和纽约建设新的工厂外，还将大幅增加高带宽内存（HBM）的组装和测试以及制造、后端设施建设的财务支出。
先进的技术是未来最强的竞争力，美光正着手开发HBM4，会考虑采用包括混合键合(Hybrid Bonding) 在内等相关技术。美光预计将在2026年推出12和16层堆叠的HBM4，带宽超过1.5TB/s；到2027~2028年，还将发布12层和16层堆叠的HBM4E，带宽可达2TB/s以上。
此外，近期美光宣布推出基于1β (1-beta) 制程的GDDR7图形存储芯片，技术从PAM4转换成PAM3，打造最高速度达每秒32Gb，同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代GDDR6高出60%，并拥有四个独立通道。据悉，这将进一步将美光GDDR7应用范围扩至AI、游戏和高效能运算工作负载。
4、铠侠北上工厂K2将于明年Q3投产
铠侠近期发布了2024财年二季度财报，得益于供需平衡改善带动NAND Flash平均售价上升、NAND Flash出货量增加（尤其是eSSD），铠侠二季度营收及营业利润均达历史新高。
11月5日，铠侠宣布其位于岩手县北上市的北上工厂 Fab2 (K2) 已全面竣工，为了预备K2投产，自2024年11月11日起，行政、技术部门将陆续搬进临近K2的新行政大楼，预估K2将在2025年秋季投产。据悉，K2工厂将致力于研发BiCS 9产品。另外，铠侠目前较为先进的第8代NAND Flash “BiCS8”产品前景较优。铠侠表示，受惠于AI热潮，预估NAND需求将在2025年以后稳健成长、像BiCS8这样高性能的存储需求将增加，未来五年闪存需求将增长约2.7倍。
而关于是否进一步扩增产能，铠侠透露，会在调查所有可能性和市场需求后再扩大产能规模。目前已在北上工厂南测备有空地，会在适当的时间点进行投资。
而在新技术和新产品方面，铠侠已经开始大规模量产采用QLC技术的UFS4.0嵌入式产品，并推出了符合PCIe® 5.0标准的NVMe EDSFF（企业级和数据中心标准形态）E1.S SSD。近期，铠侠还宣布，将在未来3年内，投资360亿日元研发基于CXL（Compute Express Link）的内存，目标在2030年代前半段实现商业化。
IPO方面，铠侠也有了最新动态，铠侠近期向金融厅提交了一份证券登记声明，期望在2024年12月-2025年6月期间IPO上市，目标市值超1万亿日元，将首度活用日本2023年10月新导入的上市申请方式以缩短上市所需的手续时间，且视市况动向仍将持续摸索最早于今年内（2024年12月内）上市的可能性。
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