一、干法刻蚀是什么？
干法刻蚀是一种关键的材料去除技术，它利用等离子体（一种高反应性和高能气体）的效力从基板上选择性地去除材料。通过对低压气体施加电场来引发等离子体生成，导致气体分子电离并产生离子、电子和中性物质的混合物。然后这些反应实体与基材表面接触，通过化学反应和物理溅射的协同作用协调材料去除。
二、干法刻蚀有哪些方法？
干法刻蚀（Dry Etching）：干法刻蚀是利用气体化学反应或物理过程进行刻蚀的一种方式。常见的干法刻蚀方法包括：
平行板电容式腐蚀（Parallel Plate Capacitive Etching）：通过在两个平行的电极板之间施加高频电场，在高真空环境下激发气体放电，产生离子，从而使材料表面发生化学反应刻蚀。
电子轰击刻蚀（Sputter Etching）：通过在高真空环境下加速能量较高的离子（如氩离子）轰击材料表面，使材料表面的原子或分子释放出来，从而实现刻蚀。
等离子体刻蚀（Plasma Etching）：通过在高真空环境下产生带电粒子（如离子）云，并通过电场控制粒子在材料表面碰撞，达到刻蚀的目的。
三、什么是干法刻蚀侧壁弯曲？
如下图，是典型的干法刻蚀时侧壁弯曲的样子，侧壁为凹形或凸形结构。而正常的侧壁几乎是垂直的，角度接近90°。
四、干法刻蚀时侧壁为什么会弯曲？
1、离子轰击的不均匀性
干法刻蚀通常是物理作用和化学作用相结合的过程，其中离子轰击是重要的物理刻蚀手段。在刻蚀过程中，离子的入射角和能量分布可能不均匀.如果离子入射角在侧壁的不同位置存在差异，那么离子对侧壁的刻蚀效果也会不同。在离子入射角较大的区域，离子对侧壁的刻蚀作用更强，会导致该区域的侧壁被刻蚀得更多，从而使侧壁产生弯曲。此外，离子能量的不均匀分布也会产生类似的效果，能量较高的离子能够更有效地去除材料，造成侧壁在不同位置的刻蚀程度不一致，进而引起侧壁弯曲。
2、光刻胶的影响
光刻胶在干法刻蚀中起着掩膜的作用，保护不需要被刻蚀的区域。然而，光刻胶在刻蚀过程中也会受到等离子体的轰击和化学反应的影响，其性能可能会发生变化.如果光刻胶的厚度不均匀、在刻蚀过程中的消耗速率不一致，或者光刻胶与衬底之间的附着力在不同位置有所不同，都可能导致刻蚀过程中对侧壁的保护作用不均匀。例如，光刻胶较薄或附着力较弱的区域，可能会使下方的材料更容易被刻蚀，从而导致侧壁在这些位置出现弯曲。
3、衬底材料特性的差异
被刻蚀的衬底材料本身可能存在特性差异，如不同区域的晶体取向、掺杂浓度等可能不完全相同。这些差异会影响刻蚀速率和刻蚀选择性.以晶体硅为例，不同晶向的硅原子排列方式不同，其与刻蚀气体的反应活性和刻蚀速率也会有所差异。在刻蚀过程中，这种由于材料特性差异导致的刻蚀速率不同，会使得侧壁在不同位置的刻蚀深度不一致，最终导致侧壁弯曲。设备相关因素刻蚀设备的性能和状态对刻蚀结果也有重要影响。例如，反应腔内的等离子体分布不均匀、电极的不均匀磨损等问题，都可能导致刻蚀过程中离子密度、能量等参数在晶圆表面的分布不均匀.此外，设备的温度控制不均匀、气体流量的微小波动等，也可能会影响刻蚀的均匀性，进而导致侧壁弯曲。
五、干法刻蚀侧壁弯曲解决方案？
1、光刻胶的形貌尽量做的陡直，不要坡度太大
2、工艺腔压力不要太大，降低工艺腔压力，减少散射，改善侧壁形貌。
3、控制保护气体比例，确保侧壁的聚合物保护层均匀分布。
六、半导体刻蚀设备常用的PFA产品有哪些？
1、PFA管，PFA管常见规格：
1/8英寸（1.6*3.2mm）、1/4英寸（3.96*6.35mm）、3/8英寸（6.35*9.525mm）、
1/2英寸（9.5*12.7mm）、3/4英寸（15.88*19.05mm）、1英寸（22.2*25.4mm）。
2、PFA接头，PFA焊接接头，PFA入珠接头，PFA扩口接头，丹凯常见规格：包括1/8英寸、1/4英寸、3/8英寸、1/2英寸、3/4英寸和1英寸。
3、PFA阀门，常见规格：通常为1寸以下英制尺寸，如1/4寸、3/8寸、1/2寸、3/4寸、1寸。
4、PFA注塑件
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