根据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM方面，DDR4的价格涨幅仍比DDR5更为显著，且三星已明确表示不会推迟其产品生命周期结束(EOL)计划。因此，DDR4的供应量将在2026年迅速下降，导致每Gb价格达到最高水平；NAND方面，由于市场预期2026年第一季度合约价格将上涨，现货价格进一步走高，但交易量仍然有限。
DRAM现货市场：
虽然进入年底，陆续有工厂盘点与部分获利了结的心理，使得采购力道略有收敛，但不改变当前现货价格持续上涨的趋势。DDR4的价格涨幅与DDR5相较仍相对明显，且Samsung明确表示不会递延EOL计划，2026年的DDR4供应量快速下降，使得DDR4 per Gb价格最高。整体看来现货价格仍维持强势。主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(12/24~12/30)的价格涨幅为6.80%(US$22.235上涨至US$23.746)。
NAND Flash现货市场：
在1Q26合约价格将上调的预期影响下，现货市场价格进一步调涨。然而在当前现货价格明显偏高、消费类需求不佳，以及工厂临近中国春节即将休假等因素，部分买家采取观望态度；而现货商基于对后续价格走势的乐观判断，亦没有选择贸然让价出货，导致市场成交量平淡。本周(12/24~12/30)512Gb TLC wafer现货价格上涨13.35%，单价达$13.055。
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