【CNMO科技消息】近日，据韩媒报道，三星电子正重新启动此前进展放缓的半导体新业务，涉及下一代NAND闪存、化合物半导体、先进封装及基板等方向。消息显示，三星电子DS部门已开始就下一代半导体研发和投资重启展开讨论，重点围绕研发方向以及设备投资时点进行协调，并已与部分合作伙伴共享相关信息。

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目前被列入重启讨论范围的业务中，400层以上高层NAND闪存，以及先进封装和基板项目的投资规划已进入较为具体的阶段。这些领域此前已被三星电子纳入未来技术路线图，但过去一年多推进节奏相对缓慢。原因在于，公司此前将更多资源集中投入到DRAM和HBM竞争力修复上。

自2024年下半年起，三星电子持续强化DRAM设计改进，并以此提升HBM性能。彼时其核心存储业务一度面临DRAM性能和质量问题，HBM供应也遭遇阻力，因此公司将大量资源优先投入到存储业务的基础竞争力恢复。受此影响，部分新业务未能快速推进。

随着近期DRAM和HBM的良率及产能利用率提升，同时市场需求明显增长，三星电子的主要存储业务逐步回到相对稳定轨道，也为新业务投资重启提供了条件。业内普遍认为，这意味着三星电子在核心存储业务修复取得一定进展后，开始重新推动面向未来的增长布局。

不过，具体投资时间表仍存在变数。由于工会罢工相关问题尚未完全消除，三星电子暂未最终敲定详细时点。市场预计，待劳资矛盾缓解后，公司在新增长业务上的投资动作有望进一步加快。