来源：电控知识搬运工
中国作为全球最大的新能源汽车市场，车规功率半导体需求强劲，电动化与高压化是两大重要推动力。功率半导体的具体应用场景已经从燃油车时代的辅助驱动系统单一场景不断向牵引逆变器、OBC、高低压辅助驱动系统、DC/DC模块、充电桩等多个细分领域拓展。在过去相当长的时间里，全球车规级功率半导体市场主要被英飞凌、安森美、富士电机、三菱电机和赛米控等美欧日国家的企业垄断，国内市场存在巨大的供需缺口。在新能源汽车超预期发展、供应链安全与稳定、技术自主可控、国产替代进程加速推进的驱动下，车规级功率半导体领域从设计、研发到生产制造包括封装测试，在国内已经形成全产业链，国内功率半导体自给率已经超过20%，特别是二极管、晶闸管、低压MOSFET(非车规)等低端产品已初现规模化效应、国产化率相对较高等特点；在中高端领域，如SJ MOSFET、IGBT、SiC MOSFET，特别是车规产品，国内厂家依然在追随海外厂家的技术发展路线，随着碳化硅等功率半导体的国产化和产能释放，国产替代增长潜力巨大。
功率半导体，是电能转换与电路控制的核心器件，包括功率分立器件和功率IC，功率分立器件又包含二极管、晶闸管和晶体管，其中晶体管根据应用领域和制程分为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、MOSFET和双极型晶体管(BJT)等。从市场需求看，MOSFET、IGBT及SiC MOSFET为目前功率半导体分立器件的主力产品。
* 二极管与晶闸管
车规二极管包括肖特基二极管（SBD）、超快二极管等产品，低频的二极管、晶闸管主要用于整流；车规二极管与晶闸管国内代表厂家有苏州固碍、安世半导体、捷捷微电等。
* MOSFET
低压MOS,主要以40V,60V,100V Planar平面型、Trench沟槽型和SGT屏蔽栅MOSFET为主，单车用量大、应用场景多且复杂；中压SGT MOSFET工作电压范围通常在30V～250V之间，其中中压（100V～250V）一般并联多个MOSFET单管用于A00级小型电动汽车或中混车辆(动力电池电压在200V上下)的主驱逆变器、OBC、DC/DC、空调压缩机等零部件中；高压超级结SJ MOSFET，工作电压通常在650V～900V，主要用于当前广泛搭载的400V动力电池平台汽车的主驱逆变器、OBC、DC/DC和PTC等产品上。国内代表厂家有士兰微、安世半导体、华润微、扬杰科技、华微电子、新洁能、东微半导体、捷捷微电等。
* IGBT
IGBT是由MOSFET和BJT复合而成的功率半导体器件，通常分单管、模块和IPM模块，是新能源汽车电控系统、高压充电机、空调系统和直流充电桩的核心器件。国内市场代表厂家有比亚迪半导体、斯达半导体、时代电气、士兰微、扬杰科技、华润微、宏微科技、新洁能等。目前，比亚迪半导体在国内乘用车IGBT功率模块的市占率超过两成，是国内目前唯一拥有IGBT全产业链IDM模式运营能力的车企，其搭建了从芯片设计、晶圆制造、模块设计和整车应用的全产业链。
*以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体功率器件
传统硅基功率器件发展达到极限，第三代半导体时代已经到来。第三代半导体是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，具有耐高压、大电流、耐高温、高频、高功率和低损耗等优越性能，有助于提升电动汽车续航能力和缩短电动汽车充电时间，是新能源汽车产业持续发展的重点核心材料。
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC SBD等）、碳化硅晶体管（SiC MOSFET等）以及碳化硅功率模块等。SiC SBD和SiC MOSFET应用于电动汽车主驱逆变器、OBC、DC/DC及充电桩等产品。国内比亚迪半导体实现SiC三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车，斯达半导体车规级SiC MOSFET模块开始大批量装车应用，并新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点；士兰微SiC芯片已经上车；三安光电、华润微等企业在SiC二极管、SiC MOSFET等器件领域已逐步实现产品系列化。随着技术的逐步突破，国产替代增长潜力巨大。
比起碳化硅器件，氮化镓功率器件在同时对效率、频率、体积等综合方面有要求的场景中还更有优势。我国在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，未来氮化镓器件将在新能源汽车等领域出现较快增长，国内市场的代表企业有英诺赛科等。
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