12月23日消息，据日本媒体报道，比利时微电子研究中心（imec）携手日本化工及极紫外光（EUV）光罩保护膜大厂三井化学共同宣布，为了推动针对EUV光刻的碳纳米管（CNT）光罩保护膜技术商业化，双方正式建立策略伙伴关系。

据了解，光罩保护膜是一种薄膜，可保护EUV光罩表面免受空气中微分子或污染物的影响，这对于 5nm或以下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于 EUV光刻设备的光源波长较短，因此保护膜需要较薄厚度来增加透光率。目前光罩保护膜主要供应商是荷兰ASML，日本三井化学、信越化学，韩国S&S Tech、FST等。

imec表示，此次合作，三井化学将把imec根据碳纳米管所研发的创新光罩保护膜技术，整合至三井化学的光罩保护膜技术，目标是实现能够全面投产的规格，预计将在2025~2026年导入高功率的极紫外光（EUV）系统。此次签约于2023 SEMICON Japan日本国际半导体展期间在东京进行。

imec强调，双方的战略伙伴关系旨在共同开发曝光薄膜及EUV光罩保护膜，其中将由imec提供技术咨询与EUV光刻机测试，三井化学进行商用生产。这些光罩护膜被设计用来保护光罩在EUV曝光时免受污染，不仅具备很高的EUV穿透率（≧94%）和极低的EUV反射率，对曝光的影响也能控制到最小，这些都是要让先进半导体制造达到高良率和高产量所需的关键性能。这些碳纳米管（CNT）光罩保护膜甚至还能承受超过1kW等级的极紫外光（EUV）输出功率，有助于发展新一代（高于600W）的极紫外光源技术。将在量产导入EUV光刻技术的厂商对这些性能产生浓厚兴趣。因此，此次合作的双方将携手开发可供商用的碳纳米管（CNT）光罩保护膜技术，以满足市场需求。

imec先进图形化制程与材料研究计划的资深副总Steven Scheer表示：“在协助半导体生态系发展新世代微影技术方面，imec拥有多年经验。从2015年开始，我们与整个供应链的伙伴们建立了合作，为先进的EUV光刻技术开发碳纳米管（CNT）光罩保护膜的创新设计。我们有信心在测量、特征化、碳纳米管（CNT）薄膜特性和性能方面，我们所掌握的深度知识将能加速三井化学的产品开发。通过合作，我们希望能为新一代EUV光刻技术推动碳纳米管（CNT）光罩保护膜的生产。”

imec进一步指出，在此光刻技术发展蓝图下，新型光罩保护膜预计于2025~2026年推出，届时ASML开发的新一代0.33数值孔径（NA）光刻系统也将能支持输出功率超过600W的曝光源。

编辑：芯智讯-林子