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通过磷光体转换的发光二极管（pc-LEDs）已经通过取代能效低的基于灯丝的白炽灯，彻底改变了固态白光照明。然而，发射超宽带近红外（NIR）辐射的pc-LED仍然是一项挑战，主要原因是缺乏超宽带NIR发光的磷光体。

为了解决这一问题，印度科学教育和研究所浦那Angshuman Nag等人制备了2.5% W4+掺杂和2.8% Mo4+掺杂的Cs 2 Na 0.95 Ag 0.05 BiCl 6 钙钛矿，发射超宽带NIR辐射，光谱宽度分别达到了前所未有的434 nm和468 nm。在带边激发下，宿主材料的软晶格表现出宽广的自俘获激子（STE）发射，覆盖NIR-I区（680 nm），然后非辐射激发掺杂物。π-供体配体Cl⁻降低了掺杂物d-d跃迁的能量，发射峰值约为950 nm的NIR-II辐射。振动耦合拓宽了掺杂物的发射谱线。较大的自旋轨道耦合和局部结构畸变可能增强掺杂物的发射强度，从而使NIR光致发光量子产率达到约40%。

将超宽带NIR磷光体与可生物降解的聚乳酸聚合物复合，可以加工成自支撑薄膜和3D打印结构。尺寸为170 × 170 mm²的大型、坚固且热稳定的3D打印pc-LED面板发射超宽带NIR辐射，展示了NIR成像的应用。

Ultrabroad Near Infrared Emitting Perovskites

Sajid Saikia, Animesh Gopal, Radha Rathod, Aprajita Joshi, K. R. Priolkar, Surajit Saha, Pralay K. Santra, Kadhiravan Shanmuganathan, Angshuman Nag

https://doi.org/10.1002/ange.202415003

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