金融界 2024 年 12 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“屏蔽栅 MOSFET 器件及形成方法”的专利，公开号 CN 119092412 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种屏蔽栅 MOSFET 器件及形成方法，包括：在靠近正面的衬底内形成相同深度并且间隔的第一屏蔽栅沟槽和第二屏蔽栅沟槽；在第一屏蔽栅沟槽内形成第一屏蔽栅氧化层、第一屏蔽栅、第一介质层、第一栅氧化层和第一栅多晶硅；在第二屏蔽栅沟槽内形成第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅、第二介质层、第二栅氧化层和第二栅多晶硅，第二栅多晶硅的表面和长度均低于第一栅多晶硅的表面和长度；在第一栅多晶硅和第二栅多晶硅两侧的衬底内分别形成阱区；在第一栅多晶硅和第二栅多晶硅两侧的阱区内分别形成源区，源区的表面与阱区的表面齐平；在靠近背面的衬底内形成漏区。本发明不同屏蔽栅沟槽内形成了不同开启电压的屏蔽栅 MOSFET。

本文源自：金融界

作者：情报员