金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“去除硅片背面氮化硅的工艺”的专利，公开号CN120174354A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种去除硅片背面氮化硅的工艺，包括步骤：提供硅片，所述硅片包括衬底和设置于所述衬底顶面的硅波导，且所述硅片的正面和背面通过LPCVD分别淀积有第一氮化硅层和第二氮化硅层；在所述第一氮化硅层的顶面形成保护层；对所述第二氮化硅层进行等离子体处理，以使所述第二氮化硅层转变为氟硅酸铵层；去除所述氟硅酸铵层。本发明可以有效缩短第二氮化硅层的去除时间，解决了传统工艺中直接采用热磷酸长时间去除第二氮化硅层时因药液消耗而导致的药液不稳定，频繁更换药液，换液过程中药液存在损耗，耗时较长等问题，而且工艺更加可控，实现了高质量去除硅片背面的第二氮化硅层的目的。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2106条，此外企业还拥有行政许可87个。

本文源自金融界