金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司申请一项名为“一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法”的专利，公开号CN120449790A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法，属于芯片设计技术领域，本发明通过有限元仿真分析栅极漏极重叠区域产生的米勒电容值。然后设计不同尺寸的栅极与漏极结构，精确控制间距参数并计算重叠率。采用双场板结构，应用纳什均衡博弈模型分析场板长度与寄生电容关系。利用多指状栅极结构减少单位面积栅极电阻值并分散寄生电容。通过测试电路测量反向恢复特性，分析电容充放电电流波形，计算寄生电容对反向恢复损耗的影响因子。基于测试数据建立优化模型，应用帕累托最优化方法构建参数决策空间，同时优化反向恢复损耗与导通电阻，解决了双向导通GaN功率器件反向恢复损耗过高的技术问题。

天眼查资料显示，青岛佳恩半导体有限公司，成立于2015年，位于青岛市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本534.4165万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自金融界