光刻机之所以备受关注，主要是因为芯片制造根本离不开它，而美方为了阻挠我们芯片产业向高端发展，又不断扩大光刻机对华限制范围，导致我们只能推进国产替代。

目前，全球光刻机技术最先进的是荷兰ASML，其高端EUV和先进浸润式DUV被限制对华出口，因此我们只能研发国产光刻机。那么进展如何呢，近日高盛发布消息。

大家应该都了解，光刻机的先进程度决定着芯片制造工艺的先进程度，进入7nm制程以下就需要使用高端EUV光刻机，2nm及以下制程要用更先进的High NA EUV。

然而，EUV光刻机目前只有荷兰光刻机巨头ASML一家能够生产，且其又依赖美方的关键零部件，因此出货就受到美方和荷兰禁令影响，先进光刻机对华出口受到限制。

这导致大陆晶圆厂不能获得获得的光刻机，目前芯片制造最先进水平才到7nm级别。

不过，我们早就开始进行国产光刻机研发，还拥有数量不多的芯片制造用前道光刻机厂商，目前全球仅有4家，分别是荷兰ASML、日本尼康和佳能、我国上海微电子。

那进展如何呢？近日，外资投行高盛发布了关于中国光刻机的最新研究报告，指出中国近年来半导体领域发展迅速，但半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在瓶颈。

高盛报告显示，目前中国国产光刻机仍停留在65纳米，至少落后国际大厂约20年。

高盛还在报告中指出，如今全球领先的晶圆制造大厂台积电，已经在利用ASML先进的EUV光刻机，大规模量产了3nm制程芯片，并且今年第四季度还将量产2nm。

而中国国产的光刻机技术水平仍停留在相对陈旧的65nm制程，即使大陆最先进的晶圆厂中芯国际能够生产出7nm制程芯片，也是用ASML较旧的DUV光刻机来制造。

因为大陆目前造不出这类先进光刻机，因为相关核心零部件来自欧美等全球的供应商。

高盛认为我们国产光刻机停留在65纳米，应该是基于我们工信部去年发布的重大技术装备推广应用指导目录，其中提到两款国产光刻机，一款分辨率小于等于65nm。

于是，高盛引述公开数据强调，荷兰ASML从65nm制程光刻机提升到低于3nm制程的光刻光刻机，用了二十年时间，先后投入了高达400亿美元的研发和资本支出。

经过综合考量后，高盛认为中国光刻机在短期内赶上西方先进光刻技术的可能性较小。

至于情况如何，咱们先不评论，有外媒直接指出，网友评论亮了！一网友表示“高盛的报告也就听听算了，真有预见性的话，也不至于2008年金融危机自己差点倒闭”。

还一网友表示“高盛这个说的太好了，让他继续麻痹西方，永远沉浸在自我陶醉之中。”

在现在网络如此发达的时代，网友已经不再那么单纯了，都有自己的判断，也有网友表示“荷兰ASML用了二十年，我们中国必须要用二十年吗，三年是吹，五年足矣！”

恐怕大家应该听说过一个道理，那就是我们正式公开的，一般都不是最先进的。我们虽然公开了65nm光刻机，但相信我们实际上有了更先进的，并且已进入产线应用。

试想下，为什么华为能做出7nm性能的芯片，难道美方会允许使用ASML光刻机吗？

如今，我们正在推进芯片国产替代，这就需要相关产业链全面国产替代，核心光刻机更不例外。其实，背后我们正在构建一个从光源、镜头到整机的完整光刻机产业链。

当前，我们国产光刻机的突围路线本质上是“成熟制程自主化与先进制程技术储备”的双线作战。现有的全自主国产光刻机能够解决28nm制程，成熟芯片已不受限制。

事实上，我们正在攻坚28nm 浸润式 ArFi 光刻机，一旦突破7nm甚至5nm制程更容易。同时还布局了EUV技术，整体就是成熟制程保基本盘、先进制程逐步突破。