1月17日，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，其核心指标已达到国际先进水平。

这一里程碑式的成就，标志着我国已全面掌握该装备从底层原理到整机集成的全链路正向设计能力。

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离子注入机、光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备称为芯片制造的“四大核心装备”，是半导体晶圆制造中不可或缺的“刚需”设备，它的作用是通过高能离子轰击，改变半导体材料的电学性能，从而形成晶体管等基础元件。

直白一点来说，高能氢离子注入机像一台超级精准的“离子炮”，将氢离子加速到极高能量（通常达百万电子伏特量级），然后精确“注射”进硅片内部深处。这一过程能改变材料深层的电学性能，从而制造出能承受高电压、大电流的半导体结构。

长期以来，高能氢离子注入机技术壁垒极高，我国完全依赖国外进口，成为制约功率半导体等战略性产业升级的关键瓶颈之一。

此次突破，彻底打破了国外企业在该领域长期的技术封锁和垄断，实现了从“依赖进口”到“自主可控”的根本性转变。

该装备的成功研制，对保障我国产业链安全具有深远战略意义，直接攻克了功率半导体制造链中的关键环节，将有力提升我国在新能源汽车、智能电网、光伏逆变器等领域的核心竞争力和自主保障能力。