国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“填充衬底表面上的间隙的方法”的专利，公开号CN121344556A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：在含原子氧气体中退火衬底，以使第一沉积材料在间隙内流动以形成碳膜。

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作者：情报员