国家知识产权局信息显示，无锡芯怀科技有限公司申请一项名为“一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质”的专利，公开号CN121389937A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质，所述方法包括：根据目标GaN器件的栅极仿真电压、漏极仿真电压和源极仿真电压，以及转换系数和训练好的电荷确定模型，确定第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容；根据栅极仿真电压、漏极仿真电压、源极仿真电压、第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容，确定目标GaN器件的目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流；根据目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流，对目标GaN器件对应的原始器件模型进行更新，得到目标器件模型，并根据目标器件模型，基于预设的测试电路，对目标GaN器件进行AC仿真。

天眼查资料显示，无锡芯怀科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯怀科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员