随着超大规模数据中心重塑存储市场规则，供需紧张或将持续至 2027 年。
中国长鑫存储（CXMT）正在扩充产能
面向 AI 数据中心的服务器 DRAM 强劲需求，正在推动整个存储市场的价格上涨。在对未来可能出现短缺的担忧下，客户纷纷抢购产能，以保障自身的量产需求。
DRAM 市场已进入由 AI 驱动的上行周期。自 2025 年第三季度以来，超大规模数据中心大量吸收供给，持续推高价格。由于 AI 服务器单机所需的 DDR5（以及 HBM）容量远高于传统服务器，PC、智能手机等其他终端市场的存储供应也随之趋紧。
在这一背景下，Yole Group 存储与计算业务总监 John Lorenz 指出，当前价格波动的一个关键驱动因素是：对未来稀缺性的恐惧。随着 DRAM 厂商优先布局利润率更高的 HBM 和服务器级 DDR5，其他细分市场往往采取防御性策略，提前采购，从而放大短缺效应并进一步推高现货价格。
图片来源：《DRAM Market Monitor, Q4 2025》- Yole Group
Yole Group 的存储业务持续跟踪整个价值链的结构性变化，涵盖 DDR5、LPDDR、HBM 等技术路线图，以及产能布局、定价机制和终端市场需求。基于多位顶级存储专家的洞察，Yole Group 相关研究量化分析了超大规模客户行为、制造限制以及晶圆厂漫长的建设周期如何可能在 2027 年之前持续造成市场紧张和高位价格。这也将是未来几年存储市场的重要主题。
最新一轮价格上涨始于 2025 年第三季度，当季 DRAM 价格环比上涨 13.5%。尽管 DRAM 市场历来波动较大，历史上曾出现 15%–20% 的季度价格变化，但此次上涨是在 2023 年至 2024 年底、2025 年初强劲复苏的基础之上发生的。彼时，市场一度认为周期已触顶并即将进入下行阶段。然而，来自企业财报的早期信号显示，2025 年第四季度 DRAM 价格可能又上涨了约 30%。
John Lorenz
Yole Group 存储与计算业务总监
"如果你是一家想要生产新款智能手机或 PC 的公司，你就需要 DRAM。如果你看到大量产能正在转向服务器市场，你自然会担心自己的供货能力，于是会尝试采购超过实际需求的数量……这是一种心理效应。正是对未来稀缺的担忧，推动了当下的价格变化。"
用于服务器的 DDR5 现货价格在部分情况下已上涨高达 100%。PC 厂商已开始感受到冲击：惠普（Hewlett Packard）和戴尔（Dell）警告称，明年可能会从产品线中移除部分笔记本型号，原因要么是 DRAM 成本过高，要么是担心无法获得足够的供应。
AI 基础设施正在重塑 DRAM 需求曲线
供需失衡的核心在于 AI 基础设施建设。数据中心运营商正大规模采购 AI 加速器，同时也需要大量通用服务器来支撑其运行。AI 加速器主要依赖高带宽存储（HBM），而主机服务器则消耗大量标准 DDR5。
一台配置了 8 颗 AI 加速器（每颗配备 200GB HBM）的 AI 服务器，包含约 1.6TB 的 HBM，以及 约 3TB 的 DDR5。相比之下，一台 2025 年典型的非 AI 服务器，其 DRAM 总容量通常不足 1TB。单机存储容量的快速增长，正在明显超出供给能力。
HBM 进一步扭曲了市场格局。相比 DDR5，HBM 拥有显著更高的价格和利润率，使得厂商有着强烈动力优先布局该产品。按单位容量计算，HBM 的生产所需晶圆数量最高可达 DDR5 的四倍，这意味着一旦产能向 HBM 倾斜，传统服务器内存的可用产能就会相应被挤压。
这一影响正向其他终端市场蔓延。汽车应用通常使用 LPDDR4 和 LPDDR5，与智能手机、平板和笔记本电脑使用的存储类型相同。尽管汽车仍是存储厂商的重要战略市场，尤其是随着自动驾驶的发展，对存储需求不断增加，厂商不太可能中断供应，但它们确实掌握了更强的议价能力，能够向汽车客户收取更高价格。
John Lorenz 表示：“
由于 LPDDR 的制造工艺中，大约 80% 与 DDR 相同，产能在一定程度上是可互换的。如果 DRAM 厂商更有动力为 AI 服务器客户生产 DDR5 和 HBM，那么 LPDDR 的供应同样会受到影响。
这一市场动态也有助于解释美光（Micron）逐步收缩其 Crucial 消费级业务等战略举措，反映出公司正将重心转向利润率更高、由 AI 驱动的需求，而非直接面向消费者的产品。
在数据中心之外，智能手机约占全球 DRAM 位需求的 25%，PC 约占 10%–11%。除手机和 PC 外的消费电子产品（如游戏设备、可穿戴设备）占约 6%。汽车约占 5%，工业、医疗和军工合计约 4%。
数据中心则占据了约 50% 的 DRAM 位需求。其中，仅 AI 工作负载就占总需求（含 HBM 与非 HBM）的约 30%，对价格形成了极强的影响力。
超大规模客户正在主导 DRAM 定价
历史经验表明，DRAM 周期的反转往往来得很快。2014–2016 年间，由于需求停滞，DRAM 价格下跌，促使以中国厂商为代表的安卓智能手机厂商通过提升单机存储容量来竞争。这一额外需求消化了过剩产能并推高价格，直到成本压力挤压利润，厂商才放缓容量增长或转向低配机型。
但这一次，价格上涨后需求回落的“自我修复机制”尚未出现。超大规模客户和服务器厂商对价格的敏感度远低于消费电子厂商。为了在 AI 竞赛中保持竞争力，他们愿意支付更高价格来确保 DRAM 供应，从而使高价状态持续，影响整个市场。
在供给方面，缓解压力受到结构性限制。建设或扩建一座 DRAM 晶圆厂通常需要 2–3 年 才能实现规模化量产。2026 年将有部分增量供给释放，但规模有限。
中国的长鑫存储（CXMT）正在扩充产能，但主要面向国内市场，其产品布局和客户结构与国际头部客户的需求重点仍存在一定差异。三星在其 P4 工厂新增设备，但优先用于 HBM 而非通用 DRAM。SK 海力士的 M15X 工厂预计将在 2026 年下半年开始贡献产量，并在 2027 年形成更具规模的供给；美光位于博伊西（Boise）的新厂也预计在 2027 年投产。
在此之前，只有当智能手机和 PC 厂商放缓单机存储容量增长，或 AI 基础设施投资出现降温，价格压力才可能在大规模新增产能到来之前得到缓解。
随着 AI 基础设施持续重塑存储需求结构，DRAM 价格将长期成为整个电子产业生态的关键观察点，影响远不止数据中心。理解技术演进、产能分配以及超大规模客户采购策略之间的相互作用，是把握各终端市场风险与机遇的关键。
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