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近日,由纳芯微牵头制定的PN 结半导体温度传感器国家标准正式发布。该标准围绕器件定义、关键性能指标及测试方法建立统一技术框架,为高精度、高可靠测温应用提供了明确、可执行的技术依据。

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PN 结温度传感器利用半导体 PN 结电压随温度变化的物理特性进行测量,可直接实现芯片级或功率器件内部的快速、精确温度感知,尤其适用于结温级测量。在精度、一致性与线性度等方面,相较传统 NTC 热敏电阻具备明显优势,已逐步成为高可靠测温场景的重要技术路线。

随着新能源汽车、泛能源及高端电子系统对温度感知精度和可靠性要求持续提升,PN 结温度传感器的应用持续扩大。但在器件性能表征与测试方法方面,行业长期缺乏统一标准。此次国家标准的发布,有助于提升不同产品方案之间的可比性,降低系统设计与应用成本,推动产业链上下游协同发展。

作为深耕传感器领域的半导体企业,纳芯微在 PN 结温度传感器的产品研发、测试方法及规模化应用方面积累了丰富实践经验。基于在多个行业的长期应用实践,纳芯微联合产业链相关单位,围绕关键性能指标、测试条件与一致性要求,推动形成具备工程可落地性的国家标准。

围绕 PN 结半导体测温技术,纳芯微已形成覆盖多行业、多精度等级的温度传感器产品组合,满足从高可靠工业系统到精密人体测温的多样化需求:

汽车领域

泛能源领域

可穿戴与医疗领域

在产品能力层面,纳芯微基于 PN 结测温原理的 CMOS 温度传感器,在接口形式、封装选择及精度配置方面提供灵活组合,便于客户在不同系统架构与应用场景中快速集成,满足从消费级到高可靠应用的多层次需求。

注:该标准为 GB/T 20521.5-2025《半导体器件 第14-5部分:半导体传感器 PN 结半导体温度传感器》,由工业和信息化部(电子)主管、全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)归口管理,标准已于2025年12月2日正式发布,将于 2026 年 7 月 正式实施。