国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121463478A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括利用第一掩膜层在外延层上形成第一掺杂区，第一掺杂区包括第一子区和第二子区；去除第一掩膜层；在外延层上形成第二掩膜层，第二掩膜层包括多个第二开槽，第二开槽暴露第一子区的部分；对第二开槽暴露的第一子区的部分进行掺杂，形成第二掺杂区，第二掺杂区与第一子区的远离第二子区的边界之间具有间隙。本申请的技术方案旨在提高半导体结构中的多个掺杂区的尺寸一致性，从而提升半导体结构的良率和可靠性。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息77条，专利信息224条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员