公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。
铠侠控股于 2 月 12 日在公布 2025 财年第三季度财报时，将全年业绩预期上调为：销售额2.1797 万亿～2.2697 万亿日元（同比增长 28％～33％），营业利润7095 亿～7995 亿日元（同比增长 57％～77％）。
这一数值大幅超出此前市场平均预期，有力地表明，该公司的盈利能力已不只是停留在复苏阶段，而是在 AI 需求爆发的背景下，迈入了新的增长阶段。
受此影响，该公司股价也呈现出创纪录的暴涨。相较于 2024 年 12 月重新上市时的发行价 1455 日元，目前股价已突破 2 万日元大关，在一年多的时间里上涨至约15 倍这一惊人水平。市值一度突破 10 万亿日元规模，市场评价急剧提升。
因东芝 “经营危机” 成为出售对象……
铠侠是生产半导体产品之一 “NAND 闪存”（以下简称 NAND）、如今成为唯一一家日本大型存储厂商。
据台湾调查公司集邦咨询（TrendForce）数据，截至 2025 年第三季度，铠侠在全球 NAND 市场占据15.3％的份额，位居韩国三星电子、SK 集团（SK 海力士 + Solidigm）之后，位列全球第三。
与竞争对手均为同时开展 DRAM 与 NAND 业务的综合存储厂商不同，铠侠的一大特征是专注 NAND 单一业务。
追溯铠侠的历史，其源头可追溯至综合电机制造商东芝。1987 年，在世界上率先发明 NAND 的，正是当时任职于东芝的研究员舛冈富士雄。这种断电后数据不会丢失、具备适合大容量化结构的存储器，应用范围逐步扩展至数码相机、智能手机、数据中心，成为现代数据存储的标准技术。
然而，与技术上的成功相反，母公司东芝在 2010 年代中期因美国核电业务的巨额亏损陷入经营危机。为避免资不抵债，集团内盈利能力最强的存储业务成为出售对象。2017 年以 “东芝存储器” 名义分拆独立，2018 年出售给以美国贝恩资本为主导的财团，2019 年更名为现在的 “铠侠”，作为独立企业重新起步。
存储市场不景气、上市延期的迷茫
然而，重新起步后的铠侠所走过的道路绝非一帆风顺。甚至可以说，在重新上市之前的数年里，它是一段被半导体市场行情波动所左右的 “苦难历史”。
原定 2020 年 10 月实施的首次上市计划，以中美贸易摩擦激化、市场前景不明朗为由，在上市前夕被迫中止。此后铠侠虽一直在等待重新上市的机会，但 2022 年下半年至 2023 年，存储市场遭遇了史上最严重的不景气。
智能手机与 PC 需求下滑，再加上数据中心投资暂时放缓，NAND 价格大幅下跌。2023 财年公司出现巨额最终亏损，经营环境十分严峻。
象征这一困境的，是围绕岩手县北上市 “北上工厂第二生产栋（K2 栋）” 所做的决策。当初这座新工厂以 2023 年内投产为目标推进建设，但受上述市场恶化影响，投产时间大幅推迟。当时，外界不乏将此类投产延期与屡次上市延期批评为 “经营迷茫” 的声音，看空公司前景的意见也不在少数。
一举打破这种闭塞局面的契机，正是当前正在发生的 AI 市场需求结构变化。
曾被视为 “站在 AI 热潮之外”
在生成 AI 热潮初期的 2023—2024 年前后，以 “训练” 阶段为主体的时代里，主角是英伟达的 GPU（图形处理半导体）以及与之搭配的被称为 “HBM（高带宽内存）” 的高性能 DRAM。
这一时期，在 HBM 供应上领先的 SK 海力士等作为 “时代宠儿” 受到市场追捧，而专注 NAND 业务的铠侠则被市场冷淡评价为 “站在 AI 热潮之外”。
但进入 2025 年，随着 AI 阶段从 “训练” 快速转向 “推理”，形势发生剧变。
在已训练完成的 AI 回答用户提问、生成内容的推理阶段，需要高速访问过去海量的学习数据以及通过被称为 RAG（检索增强生成）技术所参照的外部数据库。在这里需求爆发式增长的，正是可实现大容量、高速数据读取的 “企业级 SSD（eSSD）”，也就是 “NAND 的集合体”。
“AI 推理需求” 成为东风
受这一市场环境变化影响，此前被视为 “苦肉计” 的 K2 栋投产延期，结果反而成为极为有效的战略。
三星、SK 海力士等竞争对手直到最近都将设备投资集中在利润率更高的 HBM 扩产上，相对抑制了对 NAND 的投资。结果，在全球 NAND 供应能力增长乏力的情况下，AI 推理需求急增，供需关系趋于紧张。而此时，一直暂缓投产的 K2 栋于 2025 年 9 月如期投产。
尽管正式量产与出货预计在 2026 年上半年，但在其他厂商需要时间建设新 NAND 生产线的情况下，铠侠将此前待命的最先进工厂立即投入使用，正在构建向市场投放最尖端产品的体制。
可以说，为熬过市场恶化而采取的对策，最终转化为在竞争对手供应能力不足的时期发起攻势的伏笔。
长年打磨的独有技术
当然，铠侠的飞跃并非仅由外部环境变化带来。
作为 NAND 的发明者，长年打磨而成的独有技术战略，也是其竞争力的源泉。
尤其值得关注的是，在 “3D NAND” 开发中，该公司采取了与其他竞争对手不同的路线。近年来，NAND 行业不断推进将存储单元垂直堆叠的 “堆叠层数竞赛”，200 层、300 层等数字常被作为性能指标提及。
但是，增加堆叠层数会提高制造工序中的加工难度，也存在导致良品率下降与成本上升的风险。对此，铠侠并不一味追求堆叠层数，而是重视通过缩小存储单元本身尺寸来提高配置密度的 “横向微细化”。
目前主力产品被称为 “第 8 代 BiCS FLASH” 的产品，也以少于竞争对手的堆叠层数实现了同等存储容量，具备高成本竞争力。
铠侠技术的另一关键，是被称为CBA（CMOS 直接键合阵列）的技术 —— 将存储单元与控制电路在不同晶圆上分别制造后进行贴合。
在以往制造方式中，需要在存储单元的旁边或下方集成控制电路，难以形成高性能电路。而通过 CBA 技术，存储单元与控制电路可分别在不同晶圆上制造后再贴合。
由此，控制电路可采用最先进的逻辑工艺实现高速化，同时存储单元可专注于高密度化。也就是说，通过制造工序分离，在较高水平上同时实现了 “高速化” 与 “大容量化” 这两个容易相互矛盾的要素，成为相对于其他公司的重大技术优势。
从 “NAND 专一业务” 中脱身，迈向新领域
此外，为摆脱对市场波动脆弱的 “NAND 专一业务” 状态，铠侠也正着力研发下一代新型存储器。在 2024 年 12 月国际学会 “IEDM2024” 上，该公司发表的一系列研究内容便可见一斑。
首先值得一提的是，对被称为 “存储级内存（SCM）” 的新领域的布局。这一概念介于速度快但容量小、易失性且成本高的 DRAM，与大容量、非易失性、低成本但速度慢的 NAND 这两种性能与成本差距巨大的存储器之间。
作为实现 SCM 的有力候选，铠侠正在推进研发的是MRAM（磁阻存储器）。MRAM 同时具备断电不丢失数据的非易失性与接近 DRAM 的高速运行特性。在 IEDM2024 上，该公司展示了面向大容量化的技术成果，被定位为将给现有存储层级带来变革的产品。
尤其备受关注的研究，是采用氧化物半导体的新型 DRAM——OCTRAM的开发。这意味着，以 NAND 专一业务为特征的铠侠，试图以全新技术路线，重新进入日本企业曾退出的 DRAM 领域。
OCTRAM 采用与硅不同的 “氧化物半导体” 材料，可将漏电流（断电时的电流泄漏）降至极低，具备相比现有硅制 DRAM 大幅降低功耗的特性。此外，铠侠还将应用在 NAND 领域积累的 “3D 堆叠技术”，通过垂直堆叠存储单元，同步实现大容量化与低成本化。
若 OCTRAM 实现实用化，在 AI 服务器中，作为配置在处理器附近的大容量、低功耗存储器，有望替代或补充现有 DRAM。活用 NAND 专一业务经验的这一独有路线，可以说是日本企业再次参与 DRAM 市场主流的重要举措。
日本半导体并未落幕
当然，未来的道路并非不存在风险。半导体市场有着被称为 “硅周期” 的剧烈行情反复波动的历史，当前的繁荣并无永远持续下去的保证。
特别是目前的局面，很大程度上得益于三星电子、SK 海力士等竞争对手将资源集中于 HBM。今后若它们再次积极加大对 NAND 的设备投资，供需关系或将缓和，价格竞争重新燃起的可能性也无法否定。
正因处于业绩向好的当下，公司才比以往更需要构建难以被行情变化左右的稳健财务体质，以及为不错过未来增长机会而做出冷静的经营判断。
即便如此，在曾被视为 “日本半导体衰落” 象征的存储领域，铠侠的崛起，无异于证明了：只要能抓住市场变化的潮流，日本企业在全球市场中依然拥有足够的竞争力。
在享受 AI 推理需求这一结构性东风的同时，正视自身风险，通过对下一代技术的投资描绘下一阶段增长蓝图 —— 该公司的挑战，值得我们满怀期待地关注。
（来源：yahoo）
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第4332期内容，欢迎关注。
加星标⭐️第一时间看推送
求推荐
热门跟贴