国家知识产权局信息显示，超微时代（重庆）能源科技有限公司申请一项名为“无衬底放射性同位素源的制备方法和同位素电池的制备方法”的专利，公开号CN121687597A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种无衬底放射性同位素源的制备方法和同位素电池的制备方法，所述无衬底放射性同位素源的制备方法包括S1：在衬底的表面上制备中间层，所述中间层包括溶剂原子和溶质原子；S2：在所述中间层表面上制备溶质层，所述溶质层包括所述溶质原子；S3：加热中间层和/或衬底，所述溶质原子向中间层迁移，得到混合层；S4：在所述混合层的表面上制备加载层；S5：转移至放射性同位素源加载装置，混合层粉化，加载层与衬底分离，加载层吸收放射素后得到无衬底放射性同位素源。所述衬底同位素源的制备方法能够将衬底和同位素源分开，得到无衬底同位素源。

天眼查资料显示，超微时代（重庆）能源科技有限公司，成立于2024年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10570万人民币。通过天眼查大数据分析，超微时代（重庆）能源科技有限公司专利信息11条。

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作者：情报员