国家知识产权局信息显示,中南大学;云南贵金属实验室有限公司申请一项名为“一种电子束熔炼用脉冲接地双层电极坩埚及界面电场调控方法”的专利,公开号CN121802213A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明涉及电子束熔炼技术领域,具体公开了一种电子束熔炼用脉冲接地双层电极坩埚及界面电场调控方法。坩埚包括:作为外层导体且用于连接至接地电位的铜坩埚主体、其沉积或涂覆于铜坩埚主体内壁的连续绝缘层、沉积或涂覆于所述连续绝缘层的内表面,并与所述铜坩埚主体保持电气隔离的内层导电电极、在熔炼过程中与金属熔体或其固态凝壳形成直接电接触内层导电电极和脉冲接地控制结构。本发明利用双层电极坩埚和脉冲装置调控电子束熔炼过程中产生的电荷建立电场,通过外场强化电子束熔炼过程中杂质的迁移和脱除,可以有效针对不同杂质和主金属实现定向调控,可应用于包括但不限于钌、钽、铌等高熔点金属及铜等常规金属的高纯化制备。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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