国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN122002781A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一晶体管结构、电容单元和第二晶体管结构。电容单元包括第一内电极、第二内电极、第一外电极、第二外电极、公共电极和介电层。第一内电极和第二内电极沿与层叠方向垂直的第一方向间隔的设置，第一内电极与第一晶体管结构连接，第二内电极与第二晶体管结构连接。第一外电极包围第一内电极，第二外电极包围第二内电极。公共电极位于第一内电极与第二内电极之间，并与第一外电极和第二外电极均连接。介电层位于第一内电极与第一外电极之间，以及第二内电极与第二外电极之间。上述半导体结构应用于动态随机存取存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目3次，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员