国家知识产权局信息显示，成都天奥电子股份有限公司申请一项名为“一种多芯片原位堆叠结构及其堆叠方法、系统、芯片”的专利，公开号CN122003167A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明涉及芯片堆叠技术领域,提供了一种多芯片原位堆叠结构及其堆叠方法、系统、芯片,包括以FOW膜为单一连接粘接介质,替代传统DAF底层芯片膜,其结构包含基板与多层依次堆叠的芯片,每层芯片通过引线与基板电性互连,且均通过FOW膜与基板或其他芯片连接,FOW膜加热可让引线穿过,固化后实现稳固粘接。工艺上,芯片背面预先贴装FOW膜,划片后按顺序堆叠,每堆叠一层便加热固化,再进行引线键合。通过采用单一FOW膜,减少工艺控制要素,简化了生产流程,有效提高产品生产效率,同时保障了芯片堆叠稳定性与电性连接可靠性。

天眼查资料显示，成都天奥电子股份有限公司，成立于2004年，位于成都市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本42410.2508万人民币。通过天眼查大数据分析，成都天奥电子股份有限公司参与招投标项目326次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息259条，此外企业还拥有行政许可23个。

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作者：情报员