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AI需求带动记忆体价格飙涨，相关族群近期成为台股热门题材。不过，美光传出将大幅扩产DDR4产能，引发市场讨论，投资人也开始担心这波缺货涨价行情是否可能松动。

报导指出，财经作家狄骧在脸书发文表示，美光宣布将大幅扩产DDR4，预计把维吉尼亚州晶圆厂产能提升4倍。他认为，美光过去原本称DDR4已走向生命周期并选择停产，如今反而回头扩产，主因可能是DDR4太好赚。

狄骧并提到，南亚科日前坦承「每一种DRAM产品的毛利率，都有可能比HBM还高」，相同规格DDR4晶粒价格甚至比DDR5高出约40%。他提醒，大幅扩产消息出现后，投资人可把目光转向其他AI供应链，代工族群也是后续观察方向。

不少网友认为，扩产消息不必过度解读成利空，因为产能不是宣布后立刻开出来，短期缺货状况未必马上改变。有人直言「扩产来得及吗？笑死，台股先赚一波了」、「说要扩厂就立刻有喔...」、「扩产不是资本支出增加吗营收明年又更好」。

另一派则担心，记忆体产业最熟悉的循环又要重演，也就是缺货带动涨价，涨价引来扩产，最后供给增加、价格反转。网友酸说「谁要留下来洗碗」、「缺货>涨价>扩产>赔钱熟悉的循环」、「记忆体要被卷死了」。

也有人认为，股价反映未来，市场不一定要等产能真的开出来才修正。

美国最先进的DRAM

美光科技已在美国弗吉尼亚州马纳萨斯工厂启动1α DRAM的生产。

美光于5月22日宣布，已在马纳萨斯工厂举行了1α DRAM生产启动仪式。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示：“通过将先进的1α DRAM生产引入美国本土，我们正在加强对美国客户和全球市场的国内供应。”他还补充道：“今天的成就标志着美光2000亿美元投资计划的重要一步，该计划旨在扩大美光在美国的存储器制造和研发规模。”

美光预计马纳萨斯工厂将于2026年底前实现合格的1α DRAM量产，并计划逐步提高DDR4和低功耗DRAM（LPDDR4）内存产品的产量。

1α工艺指的是美光的第四代10纳米级工艺节点技术。它比美光最新的第六代10纳米级1γ工艺落后两代。然而，它是目前美光在美国半导体制造工厂部署的最先进的工艺技术。

这也标志着该工艺在美国的首次部署。马纳萨斯工厂生产用于汽车、国防和航空航天、工业、网络和医疗设备应用的长生命周期存储器产品。此前，该工厂使用相对较旧的节点，例如第一代10纳米级（1x）和第二代（1y）工艺。

1α工艺的引入预计将提高马纳萨斯工厂的单片比特输出和成本竞争力。美光表示，该工厂的DDR4晶圆供应量预计将增长四倍。晶圆供应量指的是已完成的DDR4晶圆。

政府和政界人士也出席了仪式。美国商务部长霍华德·卢特尼克表示：“我们终于在美国本土生产存储半导体了。美光公司高达2000亿美元的巨额投资将使美国工业、汽车、国防和航空航天存储芯片的产量翻两番。先进的存储制造正在回归美国，这将继续推动我们先进制造业的复兴。”

该项目是美光公司在美国2000亿美元投资计划的一部分。该公司还在纽约州克莱市和爱达荷州博伊西市建设半导体工厂。纽约巨型晶圆厂的建设已于1月份启动，初步场地准备工作进展顺利，超出预期。美光公司位于爱达荷州的首座晶圆厂预计将于2027年中期投产，同时，第二座爱达荷州工厂的场地准备工作也已启动。

美光公司预计，这些投资项目将在美国创造约9万个就业岗位，同时促进经济增长和国家安全。

HBM 4也扩产

美光第六代高带宽内存（HBM4）的产能优化（爬坡）工作进展顺利。下一代HBM4E标准产品的量产也将于明年启动。

美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚 (Manish Bhatia) 于当地时间 20 日出席了摩根大通投资会议，并表示：“美光 HBM4 产能优化速度实际上比去年的 HBM3 12 层产品快了一倍”，他还补充道：“良率提升速度更快。”该产品将集成到英伟达的人工智能 (AI) 计算平台 Vera Rubin 中。

美光公司列举了加速提升HBM4产能的三大原因。首先，得益于上一代HBM3和3E 12层产品的量产经验和教训。其次，HBM4核心芯片（DRAM芯片）采用的是10nm级第五代1β工艺制造。1β工艺是美光目前的旗舰工艺，其性能和良率均已得到验证，确保稳定运行。最后，HBM4采用的是公司内部优化的基础芯片。这意味着，通过将1β工艺DRAM与公司内部制造的基础芯片相结合，产品完整性和性能得到了最大程度的提升。

然而，从下一代HBM4E开始，策略将有所改变。核心芯片计划采用10nm级第六代1γ工艺制造。1γ工艺与三星电子和SK海力士的10nm级第六代1c工艺属于同一代。美光科技首次在该工艺中引入了ASML的极紫外（EUV）光刻设备。此外，基础芯片也将由半导体代工厂台积电代工，而非自行生产。

副总裁巴蒂亚表示：“HBM4E的研发进展顺利，我们预计明年开始量产。”他补充道：“首款量产产品将是获得JEDEC认证的标准产品。”他们也在准备根据客户需求定制的产品。虽然定制产品的成本会高于标准产品，但由于性能提升和新增功能，他们预计市场需求将十分旺盛。

三星电子和SK海力士也在采用1c工艺开发HBM4E。三星电子计划在今年第二季度交付首批样品。该芯片由三星晶圆代工，采用与HBM4相同的4nm工艺制造。SK海力士的目标是在今年下半年向客户提供HBM4E样品，并于明年开始量产。该芯片将继续由台积电生产，其生产工艺已知基于3nm工艺。

美光预计，到年中，基于1γ工艺的DRAM和第九代NAND闪存产品的出货量（比特）将占总出货量的一半以上。特别是，1γ DRAM有望成为美光晶圆总产量最大的单一DRAM工艺。

（来源：内容来自半导体行业观察综合 ）

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4416内容，欢迎关注。

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