国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“功率半导体器件”的专利，公开号CN122397331A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，提供了功率半导体器件。在一个示例中，半导体器件包括宽禁带外延层。宽禁带外延层包括碳化硅。宽禁带外延层具有第一表面和相对的第二表面。半导体器件包括在宽禁带外延层的第一表面上的第一触点。第二表面未与碳化硅衬底直接或间接接触。

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作者：情报员