来源：新浪证券-红岸工作室

7月15日消息，国家知识产权局信息显示，重庆臻宝科技股份有限公司申请一项名为“一种黑石英蚀刻液及其应用”的专利。申请公布号为CN122381818A，申请号为CN202610631004.2，申请公布日期为2026年7月14日，申请日期为2026年5月9日，发明人何桥、王燕清、余倩、王文彬、杨佐东，专利代理机构重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师李春连，分类号C09K13/08、H10P50/64。

专利摘要显示，本发明提供一种黑石英蚀刻液及其应用，属于半导体材料清洗技术领域，本发明提供的黑石英蚀刻液包括蚀刻剂、稳定剂、金属缓蚀剂、表面活性剂、消泡剂和水。使用本发明提供的黑石英蚀刻液对黑石英材料进行清洗时，可有效控制黑石英材料表面的金属离子释放水平，进而实现黑石英材料的高洁净度清洗。使用本发明提供的黑石英蚀刻液和清洗方法处理的黑石英材料，可直接用于高制程半导体设备的制备。

国内半导体材料领域核心供应商，专注供应集成电路及显示面板设备核心零部件，具备技术壁垒优势。臻宝科技成立于2016年2月25日，将于2026年6月24日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于重庆市。

公司主营业务为专注于为集成电路及显示面板行业客户提供制造设备真空腔体内参与工艺反应的零部件及其表面处理解决方案，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，覆盖半导体材料、OLED、昨日高换手等概念板块。

2025年，臻宝科技实现营业收入8.68亿元，在29家同行业企业中排名第18，低于行业平均18.93亿元与行业中位数10.73亿元，同期行业内营收第一、第二名分别为有研新材95.42亿元、雅克科技86.11亿元；营收结构中零部件业务贡献6.67亿元，占比76.85%，表面处理服务实现1.66亿元，占比19.14%，其余业务收入3481.81万元，占比4.01%。同年公司实现净利润2.26亿元，行业排名第8，大幅高于行业平均3198.31万元与行业中位数8532.72万元，同期行业内净利润前两位分别为雅克科技10.3亿元、江丰电子4.14亿元。

指标类别 具体数值 行业排位/对比基准 2025年营业收入 8.68亿元 18/29，低于行业均值18.93亿元、中位数10.73亿元 零部件业务营收占比 76.85% 核心营收来源 表面处理服务营收占比 19.14% 第二大收入板块 2025年净利润 2.26亿元 8/29，高于行业均值3198.31万元、中位数8532.72万元

重庆臻宝科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种静电卡盘键合胶水调配器发明专利公布CN202610681282.92026-05-18CN122298259A2026-06-30林莹环、陈立航、蒋晓钧2一种黑石英蚀刻液及其应用发明专利公布CN202610631004.22026-05-09CN122381818A2026-07-14何桥、王燕清、余倩、王文彬、杨佐东3一种半导体硅电极微孔的蚀刻预清洗方法发明专利公布CN202610396942.92026-03-30CN122373715A2026-07-10王燕清、何桥、王文彬、杨佐东4一种蚀刻设备碳化硅零部件CVD-MTS分模式再生方法发明专利公布CN202610363073.X2026-03-24CN122327178A2026-07-03张仁浩、杨佐东、杜宗伟、张文平5一种单晶硅片滑移线检测系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610353737.42026-03-23CN122282794A2026-06-26王廷波、刘森宇、杨佐东6一种新型的气溶胶分散装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931937.52025-12-19CN121715271A2026-03-24王皓杰、潘倩、刘恒豪、陈立航、曾德强、蒋晓钧7一种重掺单晶硅氧碳含量检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511882395.72025-12-15CN121703038A2026-03-20王廷波、杨佐东8静电卡盘内部缺陷检测方法、装置、终端及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511788999.52025-12-01CN121595695A2026-03-03卿钺媛、陈立航、蒋晓钧、曾德强9一种机械振动辅助气溶胶制备装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511591569.42025-11-03CN121103268A2025-12-12郑洋、潘倩、王皓杰、曾德强、陈立航、蒋晓钧10一种离子辅助气溶胶沉积陶瓷薄膜涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511506471.42025-10-21CN121344584A2026-01-16王皓杰、潘倩、常梓勋、杨潇枭、陈立航、曾德强、蒋晓钧11一种氮化铝陶瓷流延浆料、高延伸率氮化铝陶瓷生坯带及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415332.02025-09-30CN121270255A2026-01-06王宏宇、许红豆、王明菊、陈立航、蒋晓钧、曾德强12一种复合涂层的制备方法及其装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511410090.62025-09-29CN121293016A2026-01-09杨潇枭、肖永宝、常梓勋、郑洋、曾德强、陈立航、蒋晓钧13氮化铝基复合陶瓷的金属化浆料、其制备方法及氮化铝基复合陶瓷发明专利实质审查的生效、公布CN202511378912.72025-09-25CN121318547A2026-01-13许红豆、王宏宇、陈立航、蒋晓钧、曾德强14一种提高不锈钢表面疏水性的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511222225.62025-08-29CN121046828A2025-12-02王怀志、张迎春、蒋晓钧、陈立航15半导体刻蚀设备用变压器耦合等离子体窗及其制备方法发明专利授权CN202510580257.72025-05-07CN120453149B2026-05-15何桥、张杰、王文彬、杨佐东16一种石墨纯化装置发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510391315.12025-03-31CN120252355A2025-07-04张昊斌17一种用于氧化钇材料制程中缺陷的鉴定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510164428.82025-02-14CN119985374A2025-05-13陈虹利、陈立航、曾文厚、蒋晓钧18一种水基全合成切削液沉降性测试装置及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411992989.92024-12-31CN119780051A2025-04-08纪鑫玉、陈立航、蒋晓钧19一种抑制氧化钇涂层氧空缺的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411602558.72024-11-11CN119465004A2025-02-18王明菊、陈虹利、曾文厚、陈立航、蒋晓钧20一种低粗糙度的氧化钇涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411602561.92024-11-11CN119465005A2025-02-18谯敏、陈虹利、曾文厚、陈立航、蒋晓钧21一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂及清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411332176.72024-09-24CN119221119A2024-12-31王燕清、陈立航、蒋晓钧22硅料熔融方法、高品质单晶硅棒及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411227053.72024-09-03CN119121373A2024-12-13王鹏、杨佐东23粉体撞击速度监测系统、方法、喷涂系统及涂层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411068982.82024-08-06CN118980618A2024-11-19肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航24一种电荷辅助的气溶胶沉积装置、喷涂系统及涂层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411047797.02024-08-01CN118976615A2024-11-19肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航25一种真空沉积设备用真空腔室及其制备方法发明专利公布CN202410966176.62024-07-18CN118875312A2024-11-01肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航26一种陶瓷涂层封孔检测方法及气密性检测装置发明专利公布CN202410904249.92024-07-08CN118882949A2024-11-01陈虹利、陈立航27一种切削液泡沫量的测试方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202410650871.12024-05-24CN118583822A2024-09-03刘诗珂、王燕清、纪鑫玉、陈立航28气溶胶沉积系统粉体撞击速度测试系统、方法、喷涂系统及喷涂方法发明专利实质审查的生效、著录事项变更、公布CN202410535812.X2024-04-30CN118443540A2024-08-06肖永宝、谭敏、谢迎春、陈立航29碱性蚀刻制绒溶液的添加剂及包含其的制绒液发明专利授权、公布CN202410300757.62024-03-15CN118127642B2024-11-01王燕清、杨佐东、陈立航30一种J-R型静电卡盘及其制备方法与应用发明专利授权、公布CN202410242674.62024-03-04CN118186332B2024-09-13吴昊、李宗泰、杨佐东、郑宣31一种高致密化氧化铝陶瓷及其制备方法与应用发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202410214523.X2024-02-27CN118047593A2024-05-17许红豆、胡梓钊、陈立航32高固含量氧化铝陶瓷造粒粉及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202410217766.92024-02-27CN118145969A2024-06-07许红豆、胡梓钊、陈立航33一种氧化铝陶瓷及其制备方法与应用发明专利授权CN202410214525.92024-02-27CN118047594B2025-10-28许红豆、胡梓钊、陈立航34一种用于大直径硅片分割的夹具发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202311730106.22023-12-15CN117584306A2024-02-23王鹏、周倩、杨佐东35一种用于硅单晶生长的水冷套发明专利实质审查的生效、公布CN202311136599.72023-09-05CN116926673A2023-10-24王鹏、周倩、杨佐东36一种硅环斜面加工工装发明专利授权、公布CN202310995271.42023-08-09CN116766092B2025-09-16李善维、杨伟、郭朋飞、杨佐东、陈立航、郑宣37一种耐高温的耐等离子刻蚀薄膜的制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310711449.82023-06-15CN116695046A2023-09-05贺邦杰、陈立航、周岩、宗学森、杨佐东、郑宣38一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置及方法发明专利授权、公布CN202310668261.X2023-06-07CN116516459B2025-07-29陈鸿钰、陈立航、杨佐东、郑宣39一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310521031.02023-05-10CN116403894A2023-07-07黄世果、陆宏刚、龙泽吉、杨佐东、陈立航、郑宣40一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310410618.42023-04-18CN116376293B2024-02-06屈麟峰、陈立航、杨佐东、郑宣41CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310390772.X2023-04-13CN116411252A2023-07-11陈鸿钰、陈立航、杨佐东、郑宣42一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率的成型装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310342317.22023-04-03CN116117963B2023-11-07杨光、陈立航、杨佐东、郑宣43一种高性能耐等离子刻蚀薄膜及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202211719102.X2022-12-30CN115896673A2023-04-04贺邦杰、陈立航、郑宣44一种硅环抛光设备发明专利授权CN202211524602.82022-12-01CN115741426B2026-05-26廖光洪、陈立航、屈麟峰45一种用于下部电极的通用夹具实用新型专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权CN202223002997.32022-11-10CN218665018U2023-03-21黄鑫、郎凯、杨佐东46一种用于解决带孔产品药液留痕的治具发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211322866.52022-10-27CN115672839B2025-08-05李玉琼、陈立航、郑宣47一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液及蚀刻方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211186904.92022-09-28CN115537202B2023-09-05王燕清、陈立航、杨佐东48一种适用于半导体部件的直径检具发明专利授权、公布CN202211067200.X2022-09-01CN115420165B2025-04-25王家安、杨佐东、田陈49电极小孔斜度检测方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211043893.92022-08-30CN115388857A2022-11-25王家安、杨佐东、田陈50上部电极气体分流孔堵塞检测工装实用新型专利权人的姓名或者名称、地址的变更、专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权CN202222314859.22022-08-30CN218272021U2023-01-10欧力铭、杨佐东、胡飞