预测显示，三星电子有望在明年超越SK海力士，成为全球HBM市场份额最高的厂商。这意味着三星将在传统DRAM和NAND闪存优势基础上，进一步补齐HBM短板，从而巩固其在全球存储半导体领域的主导地位。
全球投资银行UBS近日发布报告称，三星电子预计将在明年占据全球HBM市场41%的份额，超过SK海力士的39%，成为市场第一。该机构认为，随着HBM4进入规模化应用阶段，HBM市场格局或将迎来变化。与此同时，SK海力士的市场份额预计将从今年的48%下降至明年的39%。另一家投资机构伯恩斯坦也给出了类似判断，预计三星明年HBM份额将提升至46%，而SK海力士将降至37%。
三星HBM份额提升的重要推动力，在于HBM4需求来源正在扩大。过去几年，英伟达一直是HBM最大的需求方，但随着谷歌、AMD、AWS等企业加速开发AI芯片，HBM供应格局正在更加多元化。据UBS预测，谷歌在HBM市场的占比预计将从今年的18%提升至30%，AMD占比将从7%升至13%，而英伟达占比则可能从60%下降至41%。业内普遍认为，三星电子有望成为谷歌和AMD的重要HBM供应商。
事实上，三星此前在HBM3E竞争中一度落后于SK海力士，但其在HBM4上的提前布局正在帮助其实现反击。三星HBM4采用1c DRAM工艺，并结合4nm晶圆代工技术，实现最高3.3TB/s的内存带宽，超过客户提出的3.0TB/s需求指标，展现出较强的技术实力。三星DS事业部负责人全英铉此前也表示，客户已经看到三星在HBM领域的回归。
市场表现也印证了HBM业务的重要性。据报道，三星在HBM4量产后仅四个月便实现10亿美元营收，业内预计其HBM4年营收规模未来有望超过100亿美元。同时，随着AI服务器需求持续增长，HBM价格仍处于上涨趋势。UBS预计，HBM平均售价将从今年约每GB 3美元上涨至明年的3.3至3.5美元。
如果三星成功夺回HBM市场领先地位，其意义将不仅局限于单一产品线。当前，三星在DRAM和NAND市场均保持全球第一，而随着HBM在存储市场中的占比持续提升，HBM竞争结果将直接影响未来存储产业格局。
对于三星而言，HBM的胜负不仅是一项业务增长机会，更是其在人工智能时代技术实力和供应链竞争力的重要证明。如果能够在HBM领域重新建立优势，三星将在AI存储基础设施竞争中占据更加主动的位置。
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