三星在本周的“NGL 2026”上，更新了未来的半导体制造技术路线图。相比于2024年时的路线图，三星做了一些调整，其中还涉及到大家关心的1.4nm和1nm制程节点，以及High-NA EUV技术的应用。

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据TomsHardware报道，三星并不急于将SF1.4（1.4nm）工艺推向市场，量产时间放在了2029年，接下来的几年里将专注于完善基于2nm制程节点的工艺，包括SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等，并推进BSPDN背面供电技术的应用。

就如去年三星所说的那样，希望通过优化2nm制程节点的性能和能耗表现，提高良品率，使其更适合业界使用，也更具商业竞争力。另外三星已经与特斯拉签下了长期供应协议，为对方制造2nm芯片，首要任务是确保主要客户的订单。

在2030年左右将转向1nm级别的制程节点，首次确认引入High-NA EUV技术，相比过去流传的2nm和1.4nm制程节点要更晚一些。除了初代SF1.4，三星还将带来增强版的SF1.4+，与基于1nm制程节点的新工艺共存。

虽然三星使用High-NA EUV光刻机进行研究已经超过一年，但是并不着急应用到生产中，称该技术仍需进一步改进。现阶段High-NA EUV光刻机面临的最大问题是使用成本远高于现有的EUV光刻机，其中涉及到整一个供应链的变动。