一、ALD原子层沉积设备工艺壁垒突出，具备精度、保形性、适配性三大核心优势
ALD原子层沉积（Atomic Layer Deposition）是一种纳米级薄膜沉积技术，核心在于 “自限制化学反应”：前驱体气体分批次脉冲式通入反应腔室，与晶圆表面原子发生饱和反应，每层仅生长 1 个原子层（约 0.1-0.3nm）。这种 “层 - by-layer” 的生长模式，使 ALD 能够在复杂三维结构（如高深宽比通孔、鳍式晶体管）中实现近乎完美的保形覆盖，薄膜厚度均匀性误差 < 1%，而传统 CVD/PVD 工艺在类似结构中的误差可达 10% 以上。例如，在 5nm 逻辑芯片的高 k 栅极沉积中，ALD 制备的 HfO₂薄膜厚度仅 1.2nm，且在整个晶圆表面的厚度波动 < 0.05nm，这是传统工艺无法企及的精度。
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二、先进制程与新兴技术推进，全球原子层沉积设备加速渗透
原子层沉积设备是半导体制造关键设备，半导体应用占比达65%。随着先进逻辑芯片制造中不断提升的工艺复杂度，以及先进DRAM 在存储单元与外围 CMOS 电路中结构层数的持续增加，原子层沉积设备“刚需”属性日渐突出，市场有望快速扩容。
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预测全球单晶圆 ALD 市场规模将从 2024 年的 30 亿美元稳步攀升至 2030 年的 51亿至 61 亿美元区间，期间年复合增长率达 9%至 13%。相较之下，同期全球前端晶圆制造设备（WFE）市场预计由 1100 亿美元扩容至 1550 亿美元，其 6%的复合增速低于ALD 赛道。
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三、全球原子层沉积设备市场由海外三巨头垄断，拓荆科技引领国内厂商实现关键突破
根据观研报告网发布的《中国原子层沉积设备（ALD）行业现状深度研究与投资前景预测报告（2026-2033年）》显示，全球原子层沉积设备市场由海外三巨头（应用材料、东京电子TEL、ASM International）垄断，但市场份额有所下滑，中长期替代空间巨大。
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目前国内拓荆科技、北方华创、中微公司以及微导纳米等企业正积极布局并推动原子层沉积设备的发展，并已实现关键突破。
以ALD装机量和薄膜工艺覆盖率均位居国内第一的拓荆科技为例，拓荆科技采用 PE-ALD（等离子体增强型）与 Thermal-ALD（热原子层沉积）双技术路线并行布局。其中 PE-ALD 已全面覆盖 SiO₂、SiN、SiCO 等介质薄膜工艺，同时可沉积 Al₂O₃等金属化合物薄膜，客户端量产规模持续提升；Thermal-ALD 路线实现关键突破，首台 TiN（氮化钛）设备已于 2025 年完成客户验证，后续持续斩获订单、出货规模稳步扩张。公司 ALD 业务技术落地持续转化为营收，业绩贡献加速兑现，2025 年 ALD 设备实现销售收入 3.01 亿元，同比大幅增长 191.82%。
资料来源：观研天下整理（zlj）
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