杜邦电子申请用于形成导电结构的方法专利,IR激光辐照以800 nm至1150 nm的波长和100飞秒至5000飞秒的脉冲持续时间执行
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国家知识产权局信息显示,杜邦电子公司申请一项名为“用于形成导电结构的方法”的专利,公开号CN122641265A,申请日期为2026年2月。
专利摘要显示,本公开提供了一种用于形成导电结构的方法。该方法包括:i)将导电油墨组合物施加在衬底上;以及ii)对所施加的导电油墨组合物执行IR激光辐照。IR激光辐照以800 nm至1150 nm的波长和100飞秒至5000飞秒的脉冲持续时间执行,并且以绝对值在2 mm至40 mm的范围内的散焦Z偏移操作。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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