国家知识产权局信息显示，重庆奕能科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率模块”的专利，公开号CN122679679A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、功率模块，该方法包括在半导体层内形成沟槽，在沟槽的拐角区形成第一介质层，以及在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层延伸并覆盖沟槽的底壁和侧壁表面，并且，第二介质层的介电常数小于第一介质层。该器件包括设有沟槽的半导体层，以及在沟槽内设置第一介质层和第二介质层，第一介质层位于覆盖沟槽的拐角区，第二介质层位于覆盖拐角区的第一介质区上。本申请有利于在不引入界面缺陷与晶格损伤的前提下，优化半导体器件在沟槽拐角区的电场分布，满足其在超高电场工作条件下的稳定性和可靠性应用要求。

天眼查资料显示，重庆奕能科技有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1457.1428万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员