国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统”的专利，公开号CN122671453A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制造技术领域，尤其涉及一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统，包括：暗室：内部进行消光处理，隔绝环境光干扰；载台：设置在暗室内，用于承载和定位待测重掺硅片；光源：设置在载台下方，工作时产生特定波长光束；光学检测模块：匀光层：包含毛玻璃和滤光片；光学检测模块：设置在载台上方，获取光照后的硅片正面的图像；图像处理与计算单元：与光学检测模块连接，控制图像采集、处理图像数据并输出检测结果。

天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本523559.0107万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息480条，此外企业还拥有行政许可23个。

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作者：情报员