格芯（GlobalFoundries）官网消息，格芯与先进片上存储器方案先驱 RAAAM Memory Technologies 今日（美国时间9月2日）宣布达成战略合作，共同开发并验证增益单元 RAM（GCRAM）技术。合作已取得重要里程碑：GCRAM测试载体已在格芯业界领先的FDX™ FD-SOI平台上成功流片。
随着边缘 AI、汽车和物联网设备对数据量的需求持续攀升，片上存储器已成为关键瓶颈，往往占据硅片面积的大部分。设计人员正在寻找比商用 SRAM 密度更高、功耗更低的创新片上存储器方案。
借助 RAAAM 获专利的 GCRAM 技术，双方在 FDX 工艺上采用高密度（pushed）设计规则共同设计 GCRAM 存储单元，相比 SRAM 实现存储器面积缩小 40%、功耗最高降低 60%。双方已联合设计并流片一款 GCRAM 测试芯片。下一步，双方将于 2027 年初开始向领先客户提供 GCRAM 设计使用权。
RAAAM Memory Technologies 首席执行官兼联合创始人罗伯特・吉特曼（Robert Giterman）表示："GCRAM 测试载体在格芯 FDX 平台上成功流片，证明了 RAAAM 存储器创新与格芯制造能力之间的强大协同。我们的 GCRAM 技术能让半导体公司显著增加片上存储器容量，或在保持容量不变的情况下缩小硅片面积；而 FD-SOI 技术的超低漏电可延长数据保持时间，使设计人员能够为边缘 AI 设备释放可观的能耗节省。"
格芯 FD-SOI 产品管理副总裁苏迪普托・博斯（Sudipto Bose）表示："在格芯，我们不断拓展 FDX 平台的能力边界，并持续增强 IP 产品组合，以满足客户需求。与 RAAAM Memory Technologies 合作，使我们能够向客户提供极具竞争力的片上存储器方案，为先进 AI 及其他应用重新定义功耗 — 性能 — 面积（PPA）方程。"
半导体生态已开始关注这项联合开发的潜力。边缘智能系统领域的领先企业恩智浦半导体正在密切评估 GCRAM 方案的收益。
恩智浦半导体前端创新副总裁维克托・王（Victor Wang）表示："产业需要一次片上存储器的范式转变。RAAAM 与格芯开发的 GCRAM 方案潜力巨大，预计带来的面积缩小和功耗降低，为提升片上存储器容量提供了清晰路径，这对减少片外数据搬运、提升系统级效率至关重要。"
关于RAAAM Technologies
初创公司 RAAAM Memory Technologies 总部位于以色列佩塔提克瓦（Petah Tikva）， 是一家无晶圆半导体 IP 公司，提供业内最具成本优势的片上存储器技术。 RAAAM 获专利的增益单元 RAM （ GCRAM ）技术相比传统 SRAM ，硅片面积最高可减少 50% ，功耗最高可降至约三分之一。 GCRAM 可作为 SoC 中 SRAM 的即插即用替代方案，并与标准 CMOS 制造流程完全兼容，使设计人员能够在更小的芯片面积上集成更多存储器，同时降低功耗。
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